公开(公告)号：CN1102260A

公开(公告)日：1995-05-03

申请号：CN94102642.6

申请日：1994-03-05

Applicant: 三洋化成工业株式会社

Inventor： 宫崎忠一 ,  水盛正英 ,  本村美树

IPC: G03F7/012

CPC classification number: C09D11/101 ,  C08F8/44 ,  C08F2800/10 ,  G03F7/012 ,  C08F8/30 ,  C08F220/06 ,  C08F2222/1013 ,  C08F216/18

Abstract: 本发明是关于分子中至少有1个由化学式(1)(式中n是1—10的整数)表示的基团的感光性树脂。本发明的感光性树脂，其分子内具有1个以上在300nm以上具有吸收波长范围的叠氮基，因此是高灵敏度的感光性树脂。这种感光性树脂可用于透过该波长范围的光的工业生产成本低的乳剂被覆制造的光致抗蚀剂或钠钙玻璃制造的光致抗蚀剂。本发明的感光性树脂作为光致抗蚀剂作用非常有效。

公开(公告)号：CN1784770A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200480012569.4

申请日：2004-05-07

Applicant: 三洋化成工业株式会社 ,  高级技术材料公司

Inventor： 中野智治 ,  中岛史博 ,  宫崎忠一 ,  邓肯·布朗 ,  马修·D·希利

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明公开了CMP方法用研磨液，其特征在于包含研磨材料、水性溶剂和添加剂，并含有基于研磨液重量的至少15重量％的粒径为20－80nm的研磨材料粒子；采用上述研磨液进行研磨的研磨方法适用于至少形成有氧化硅膜的器件晶片表面的平坦化加工，并能有效地稳定表现出优越的研磨特性，例如平坦化特性、低瑕疵特性和高洗净特性，最适用的是半导体工业中包含层间绝缘膜或元件分离膜、磁头和液晶显示器用衬底的半导体器件表面的平坦化加工。

公开(公告)号：CN100490084C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200480012569.4

申请日：2004-05-07

Applicant: 三洋化成工业株式会社 ,  高级技术材料公司

Inventor： 中野智治 ,  中岛史博 ,  宫崎忠一 ,  邓肯·布朗 ,  马修·D·希利

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明公开了CMP方法用研磨液，其特征在于包含研磨材料、水性溶剂和添加剂，并含有基于研磨液重量的至少15重量%的粒径为20-80nm的研磨材料粒子；采用上述研磨液进行研磨的研磨方法适用于至少形成有氧化硅膜的器件晶片表面的平坦化加工，并能有效地稳定表现出优越的研磨特性，例如平坦化特性、低瑕疵特性和高洗净特性，最适用的是半导体工业中包含层间绝缘膜或元件分离膜、磁头和液晶显示器用衬底的半导体器件表面的平坦化加工。