公开(公告)号：CN110838406B

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN201811464898.2

申请日：2018-12-03

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 车炅津 ,  金正烈 ,  李炅烈 ,  吴泳俊 ,  康孝旻 ,  金埈旿

IPC: H01G4/008 ,  H01G4/30 ,  H01G4/12

Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电子组件及制造多层陶瓷电子组件的方法。所述制造多层陶瓷电子组件的方法包括：制备陶瓷生片；通过在所述陶瓷生片上涂覆用于内电极的包括镍(Ni)粉末的膏体而形成内电极图案，所述镍(Ni)粉末包括具有含铜(Cu)的表面的涂层；通过堆叠其上形成有所述内电极图案的所述陶瓷生片而形成陶瓷多层结构；以及通过烧结所述陶瓷多层结构而形成包括介电层和内电极的主体。基于所述Ni粉末的总重量，Cu的含量等于或大于0.2wt％。

公开(公告)号：CN114464455A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202111301141.3

申请日：2021-11-04

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 吴泳俊 ,  车润聢 ,  康孝旻 ,  金埈旿 ,  吴芝恩 ,  金正烈

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12

Abstract: 本公开提供了一种多层陶瓷电子组件。所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层以及交替地堆叠的第一内电极和第二内电极，且相应的介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间；以及第一外电极和第二外电极，所述第一外电极连接到所述第一内电极，所述第二外电极连接到所述第二内电极，其中，所述介电层包括硅(Si)，所述第一内电极和所述第二内电极中的每个内电极包括Si和导电金属，并且包括在所述第一内电极和所述第二内电极中的每个内电极的Si的平均含量(B)(wt％)与包括在所述介电层中的Si的平均含量(A)(wt％)的比值(B/A)大于等于0.99且小于等于1.41。

公开(公告)号：CN110838406A

公开(公告)日：2020-02-25

申请号：CN201811464898.2

申请日：2018-12-03

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 车炅津 ,  金正烈 ,  李炅烈 ,  吴泳俊 ,  康孝旻 ,  金埈旿

IPC: H01G4/008 ,  H01G4/30 ,  H01G4/12

Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电子组件及制造多层陶瓷电子组件的方法。所述制造多层陶瓷电子组件的方法包括：制备陶瓷生片；通过在所述陶瓷生片上涂覆用于内电极的包括镍(Ni)粉末的膏体而形成内电极图案，所述镍(Ni)粉末包括具有含铜(Cu)的表面的涂层；通过堆叠其上形成有所述内电极图案的所述陶瓷生片而形成陶瓷多层结构；以及通过烧结所述陶瓷多层结构而形成包括介电层和内电极的主体。基于所述Ni粉末的总重量，Cu的含量等于或大于0.2wt％。