公开(公告)号：CN119659129A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411159190.1

申请日：2024-08-22

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 沈大振 ,  朴廷振 ,  朴正镇 ,  金宰源 ,  崔孝成 ,  刘南柱 ,  金贞姬 ,  李种皓

IPC: B32B27/36 ,  B32B27/08 ,  B32B27/28 ,  B32B33/00 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本公开提供了一种剥离膜以及使用该剥离膜的制造多层电子组件的方法。所述剥离膜包括：基膜；以及剥离层，设置在所述基膜的一个表面上，其中，所述剥离层包括剥离组合物的固化层，所述剥离组合物包括包含氮的杂环化合物和聚二甲基硅氧烷，并且当使用X射线光电子能谱仪(XPS)对所述剥离层的表面进行分析时，所述剥离层的氮(N)与硅(Si)的原子比(N/Si)为0.6至1.1。