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发明公开
自旋轨道矩材料、包括其的磁性存储器器件和制造自旋轨道矩材料的方法审中-公开

公开(公告)号：CN118804669A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410440875.7

申请日：2024-04-12

Applicant: 三星电子株式会社 , 浦项工科大学校产学协力团

Inventor： 曹元准 , 李大秀 , 赵庸柱

IPC: H10N50/85 , H10N50/01 , H10N52/85 , H10N52/01 , H10B61/00

Abstract: 提供可自旋轨道矩(SOT)材料、SOT材料的制造方法、以及包括SOT材料的磁性存储器器件，所述自旋轨道矩(SOT)材料可包括衬底和在所述衬底上的包括多个子叠层的外延薄膜，其中在所述外延薄膜的下部部分中的所述多个子叠层之中的第一子叠层的晶体结构为正交晶系，并且在所述外延薄膜的上部部分中的所述多个子叠层之中的第二子叠层的晶体结构为四方晶系，并且所述外延薄膜的下部部分比所述外延薄膜的上部部分更靠近所述衬底。

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