公开(公告)号：CN118804669A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410440875.7

申请日：2024-04-12

Applicant: 三星电子株式会社 ,  浦项工科大学校产学协力团

Inventor： 曹元准 ,  李大秀 ,  赵庸柱

IPC: H10N50/85 ,  H10N50/01 ,  H10N52/85 ,  H10N52/01 ,  H10B61/00

Abstract: 提供可自旋轨道矩(SOT)材料、SOT材料的制造方法、以及包括SOT材料的磁性存储器器件，所述自旋轨道矩(SOT)材料可包括衬底和在所述衬底上的包括多个子叠层的外延薄膜，其中在所述外延薄膜的下部部分中的所述多个子叠层之中的第一子叠层的晶体结构为正交晶系，并且在所述外延薄膜的上部部分中的所述多个子叠层之中的第二子叠层的晶体结构为四方晶系，并且所述外延薄膜的下部部分比所述外延薄膜的上部部分更靠近所述衬底。

公开(公告)号：CN119143171A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202410744632.2

申请日：2024-06-11

Applicant: 浦项工科大学校产学协力团

Inventor： 李大秀 ,  金相贤

IPC: C01G23/00

Abstract: 本公开提供了一种钙钛矿氧化物薄膜和制备钙钛矿氧化物薄膜的方法。所述钙钛矿氧化物薄膜包括由化学式1表示的化合物并且具有层状钙钛矿结构，其中，一个A位点(A+A')原子层中的A'原子与所有A位点的比率不同于在厚度方向上的三个或更多个其他A位点原子层中的A'原子与所有A位点的比率。[化学式1]A1‑xA'xBO3，在化学式1中，A和A'是不同的二价或三价阳离子，B是四价或三价阳离子，并且0≤x≤1。