公开(公告)号：CN101924327A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010202788.6

申请日：2010-06-11

Applicant: 三星电子株式会社 ,  浦项工科大学校产学协力团

Inventor： 崔安植 ,  权五大 ,  刘载焕 ,  金煐千 ,  蔡光炫 ,  金昶勋 ,  申美香

IPC: H01S5/125 ,  B41J2/455 ,  G03G15/04

CPC classification number: H01S5/1835 ,  B41J2/45 ,  H01S5/1075 ,  H01S5/18319 ,  H01S5/2027 ,  H01S5/423 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明公开了一种半导体激光二极管、打印头和成像装置。本发明提供了一种半导体激光二极管以及包括该半导体激光二极管的打印头和成像装置。该半导体激光二极管包括凹凸图案，并发射具有高斯光强度分布的光。通过将该半导体激光二极管应用于打印头和成像装置而提供了高质量的图像。

公开(公告)号：CN101878568B

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN200880117937.X

申请日：2008-10-16

Applicant: 浦项工科大学校产学协力团

Inventor： 权五大 ,  申美香 ,  李承恩 ,  张荣洽 ,  金愥千 ,  尹俊镐

IPC: H01S5/34

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/1075 ,  H01S5/1092 ,  H01S5/2027 ,  H01S5/2213 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2275 ,  H01S2304/04 ,  H04N9/315

Abstract: 一种光量子环形(PQR)激光器包括具有多量子阱(MQW)结构和蚀刻的侧面的活性层。在承载基板上放置的反射体上外延生长的p-GaN和n-GaN层之间夹有所述活性层。在活性层的侧面的外侧上形成涂层，上部电极与n-GaN层的上部电连接，和在n-GaN层和上部电极上形成分布布喇格反射体(DBR)。因此，PQR激光器能够振荡适用于低能耗显示设备的节能垂直主导3D多模激光器，防止光散斑现象，并产生调焦3D柔和光。

公开(公告)号：CN101878568A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200880117937.X

申请日：2008-10-16

Applicant: 浦项工科大学校产学协力团

Inventor： 权五大 ,  申美香 ,  李承恩 ,  张荣洽 ,  金愥千 ,  尹俊镐

IPC: H01S5/34

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/1075 ,  H01S5/1092 ,  H01S5/2027 ,  H01S5/2213 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2275 ,  H01S2304/04 ,  H04N9/315

Abstract: 一种光量子环形(PQR)激光器包括具有多量子阱(MQW)结构和蚀刻的侧面的活性层。在承载基板上放置的反射体上外延生长的p-GaN和n-GaN层之间夹有所述活性层。在活性层的侧面的外侧上形成涂层，上部电极与n-GaN层的上部电连接，和在n-GaN层和上部电极上形成分布布喇格反射体(DBR)。因此，PQR激光器能够振荡适用于低能耗显示设备的节能垂直主导3D多模激光器，防止光散斑现象，并产生调焦3D柔和光。