公开(公告)号：CN101878568B

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN200880117937.X

申请日：2008-10-16

Applicant: 浦项工科大学校产学协力团

Inventor： 权五大 ,  申美香 ,  李承恩 ,  张荣洽 ,  金愥千 ,  尹俊镐

IPC: H01S5/34

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/1075 ,  H01S5/1092 ,  H01S5/2027 ,  H01S5/2213 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2275 ,  H01S2304/04 ,  H04N9/315

Abstract: 一种光量子环形(PQR)激光器包括具有多量子阱(MQW)结构和蚀刻的侧面的活性层。在承载基板上放置的反射体上外延生长的p-GaN和n-GaN层之间夹有所述活性层。在活性层的侧面的外侧上形成涂层，上部电极与n-GaN层的上部电连接，和在n-GaN层和上部电极上形成分布布喇格反射体(DBR)。因此，PQR激光器能够振荡适用于低能耗显示设备的节能垂直主导3D多模激光器，防止光散斑现象，并产生调焦3D柔和光。

公开(公告)号：CN101878568A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200880117937.X

申请日：2008-10-16

Applicant: 浦项工科大学校产学协力团

Inventor： 权五大 ,  申美香 ,  李承恩 ,  张荣洽 ,  金愥千 ,  尹俊镐

IPC: H01S5/34

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/1075 ,  H01S5/1092 ,  H01S5/2027 ,  H01S5/2213 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2275 ,  H01S2304/04 ,  H04N9/315

Abstract: 一种光量子环形(PQR)激光器包括具有多量子阱(MQW)结构和蚀刻的侧面的活性层。在承载基板上放置的反射体上外延生长的p-GaN和n-GaN层之间夹有所述活性层。在活性层的侧面的外侧上形成涂层，上部电极与n-GaN层的上部电连接，和在n-GaN层和上部电极上形成分布布喇格反射体(DBR)。因此，PQR激光器能够振荡适用于低能耗显示设备的节能垂直主导3D多模激光器，防止光散斑现象，并产生调焦3D柔和光。