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公开(公告)号：CN110872516B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201910835738.2
申请日：2019-09-03
Applicant: 易案爱富科技有限公司
IPC: C09K13/06 , H01L21/311
Abstract: 本发明涉及氮化硅膜蚀刻组合物，更具体地，涉及通过将聚硅化合物包含在蚀刻组合物中，从而相对于氧化硅膜能够以高选择比蚀刻氮化硅膜的氮化硅膜用蚀刻组合物、利用其的氮化硅膜的蚀刻方法及半导体元件的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110628435B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201910520688.9
申请日：2019-06-17
Applicant: 易案爱富科技有限公司
IPC: C09K13/06 , H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻组合物，更具体而言，通过在蚀刻组合物中包含两种彼此不同的硅系化合物，相比于氧化硅膜能够选择性地蚀刻氮化硅膜，其蚀刻选择比显著，在用于蚀刻工序和半导体制造工序时，可以在抑制发生析出物且减少存在于周围的包含氧化硅膜的其他膜的异常生长方面提供卓越的效果。
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公开(公告)号：CN110872516A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910835738.2
申请日：2019-09-03
Applicant: 易案爱富科技有限公司
IPC: C09K13/06 , H01L21/311
Abstract: 本发明涉及氮化硅膜蚀刻组合物，更具体地，涉及通过将聚硅化合物包含在蚀刻组合物中，从而相对于氧化硅膜能够以高选择比蚀刻氮化硅膜的氮化硅膜用蚀刻组合物、利用其的氮化硅膜的蚀刻方法及半导体元件的制造方法。
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公开(公告)号：CN110606954B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201910448499.5
申请日：2019-05-27
Applicant: 易案爱富科技有限公司
IPC: C08G77/28 , C08G77/30 , C08G77/26 , C09K13/06 , H01L21/033
Abstract: 本发明提供了聚硅氧烷类化合物，包含所述聚硅氧烷类化合物的对氮化硅层有选择性的蚀刻组合物，以及制造包含所述蚀刻组合物的半导体器件的方法，其中根据本发明的包含所述聚硅氧烷类化合物的氮化硅层蚀刻组合物可以相对于氧化硅层选择性地蚀刻所述氮化硅层，并且具有非常优良的蚀刻选择比，并且即使当使用所述组合物的时间增加或反复使用所述组合物时，对氮化硅层的蚀刻速率变化小且蚀刻选择比的变化小。
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公开(公告)号：CN110606954A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910448499.5
申请日：2019-05-27
Applicant: 易案爱富科技有限公司
IPC: C08G77/28 , C08G77/30 , C08G77/26 , C09K13/06 , H01L21/033
Abstract: 本发明提供了聚硅氧烷类化合物，包含所述聚硅氧烷类化合物的对氮化硅层有选择性的蚀刻组合物，以及制造包含所述蚀刻组合物的半导体器件的方法，其中根据本发明的包含所述聚硅氧烷类化合物的氮化硅层蚀刻组合物可以相对于氧化硅层选择性地蚀刻所述氮化硅层，并且具有非常优良的蚀刻选择比，并且即使当使用所述组合物的时间增加或反复使用所述组合物时，对氮化硅层的蚀刻速率变化小且蚀刻选择比的变化小。
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公开(公告)号：CN110628435A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910520688.9
申请日：2019-06-17
Applicant: 易案爱富科技有限公司
IPC: C09K13/06 , H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻组合物，更具体而言，通过在蚀刻组合物中包含两种彼此不同的硅系化合物，相比于氧化硅膜能够选择性地蚀刻氮化硅膜，其蚀刻选择比显著，在用于蚀刻工序和半导体制造工序时，可以在抑制发生析出物且减少存在于周围的包含氧化硅膜的其他膜的异常生长方面提供卓越的效果。
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