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公开(公告)号：CN110376848B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201910231808.3
申请日：2019-03-26
IPC: G03F7/20 , G03F7/004 , C09D183/04
Abstract: 提供了基底处理组合物和使用其制造半导体装置的方法。基底处理组合物包括第一单体、第二单体和酸。第一单体由式1表示，第二单体由式7表示。基底处理组合物的包括第一单体、第二单体和酸的固体含量的分子量是大约1,000g/mol至大约50,000g/mol。[式1]X‑Si(R1)2(R2)[式7]Y‑Si(R3)3。
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公开(公告)号：CN110376848A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910231808.3
申请日：2019-03-26
IPC: G03F7/20 , G03F7/004 , C09D183/04
Abstract: 提供了基底处理组合物和使用其制造半导体装置的方法。基底处理组合物包括第一单体、第二单体和酸。第一单体由式1表示，第二单体由式7表示。基底处理组合物的包括第一单体、第二单体和酸的固体含量的分子量是大约1,000g/mol至大约50,000g/mol。[式1]X-Si(R1)2(R2)[式7]Y-Si(R3)3。
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公开(公告)号：CN115362216B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202180024987.9
申请日：2021-03-31
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08L83/04 , C08G77/14 , C08K5/05 , C08K5/06 , C08K5/19 , C08K5/34 , C08K5/42 , C08K5/49 , C08K5/50 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供用于形成溶剂显影型抗蚀剂的抗蚀剂下层膜的膜形成用组合物，所述抗蚀剂下层膜能够形成良好的抗蚀剂图案。该膜形成用组合物的特征在于包含水解性硅烷化合物的水解缩合物、选自由氨基塑料交联剂及酚醛塑料交联剂组成的组中的至少1种交联剂和溶剂，且上述水解性硅烷化合物包含下述式(1)表示的水解性硅烷。R1aR2bSi(R3)4‑(a+b) (1)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117083570A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202280025083.2
申请日：2022-03-30
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11
Abstract: 本发明的课题是提供用于形成即使是膜厚为10nm以下等，与以往相比厚度薄的抗蚀剂下层膜也获得没有图案坍塌的良好的抗蚀剂图案的含有硅的抗蚀剂下层膜的、含有硅的下层膜形成用组合物。解决手段是下述含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有：[A]聚硅氧烷，上述[A]聚硅氧烷的由凝胶渗透色谱(GPC)分析得到的以聚苯乙烯换算获得的重均分子量为1,800以下，并且，在由凝胶渗透色谱(GPC)分析得到的以聚苯乙烯换算获得的积分分子量分布曲线中分子量超过2,500的比例小于20％；以及[B]溶剂。
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公开(公告)号：CN115362413A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202180026667.7
申请日：2021-03-31
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供获得能够作为具有对作为上层而形成的抗蚀剂膜用的组合物的溶剂的耐性、对氟系气体的良好的蚀刻特性、进一步良好的光刻特性的抗蚀剂下层膜而良好地起作用的膜的组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其特征在于，是包含使用包含2种以上酸性基的酸性化合物将水解性硅烷化合物水解和缩合而获得的水解缩合物、和溶剂的膜形成用组合物，上述水解性硅烷化合物包含下述式(1)所示的含有氨基的硅烷。(在式(1)中，R1为与硅原子结合的基团，彼此独立地表示包含氨基的有机基，R2为与硅原子结合的基团，表示可以被取代的烷基、可以被取代的芳基、可以被取代的芳烷基、可以被取代的卤代烷基、可以被取代的卤代芳基、可以被取代的卤代芳烷基、可以被取代的烷氧基烷基、可以被取代的烷氧基芳基、可以被取代的烷氧基芳烷基、或可以被取代的烯基，或表示包含环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基或氰基的有机基，R3为与硅原子结合的基团或原子，彼此独立地表示烷氧基、芳烷基氧基、酰氧基或卤原子，a为1～2的整数，b为0～1的整数，满足a+b≤2。)R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)(1)。
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