公开(公告)号：CN115903092A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211108166.6

申请日：2022-09-13

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 李政烨 ,  廉根永 ,  金熙株 ,  洪宗佑 ,  金琏熙 ,  裵纪德 ,  裵海洙

IPC: G02B1/00 ,  G02B5/18

Abstract: 提供一种超光学器件以及制造超表面的方法。超光学器件包括基板和纳米结构，其中该纳米结构包括在直径和周期中的至少一个方面不同的第一部分和第二部分，其中第二部分的蚀刻深度与第一部分的蚀刻深度的比率为约0.9至约1.1，并且该纳米结构包括硫、氟和碳氟化合物中的至少一种。

公开(公告)号：CN118098949A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202311610591.X

申请日：2023-11-28

Applicant: 成均馆大学校产学协力团 ,  汉阳大学校产学协力团

Inventor： 廉根永 ,  郑进旭 ,  张允锺 ,  金头山 ,  金艺恩 ,  吉洪成 ,  权海仁 ,  朴峻营 ,  郑智原

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 提供了一种用于蚀刻原子层的方法。用于蚀刻原子层的方法包括：将基板提供至工艺室，其中，所述工艺室包括第一室部和第二室部，并且所述基板设置在所述第二室部中；在所述第一室部中产生吸附气体等离子体；将所述吸附气体等离子体的自由基吸附到所述基板，以形成处理层；在所述第一室部中产生蚀刻气体等离子体；以及使所述蚀刻气体等离子体的电子和离子交替地入射到所述处理层中，以执行所述处理层的解吸。

公开(公告)号：CN1652249A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510004452.8

申请日：2005-01-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄淳元 ,  宋利宪 ,  廉根永 ,  郑硕才

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/00 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L43/12 ,  G11C11/16

Abstract: 提供一种制造纳米尺寸磁性隧道结单元的方法，其中在磁性隧道结单元中的接触不需要形成接触孔而形成。形成磁性隧道结单元的方法包括在衬底上形成一磁性隧道结层，通过构图磁性隧道结层形成磁性隧道结单元区域，在磁性隧道结层上依次沉积一绝缘层和一掩模层，通过在同一蚀刻速率下蚀刻掩模层和绝缘层曝露磁性隧道结单元区域的上表面，以及在绝缘层和磁性隧道结层上面沉积一金属层。