公开(公告)号：CN1815769A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200510022966.6

申请日：2005-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄淳元 ,  金泰完 ,  郑硕才 ,  柳龙桓 ,  郑智元

IPC: H01L43/08 ,  G11B5/39 ,  G11C11/16 ,  G11C11/15

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3929 ,  G11B2005/3996 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供使用TiN作为盖帽层的磁致电阻器件以及制造该磁致电阻器件的方法。该磁致电阻器件通过更简化的制造工艺被制造，且该磁致电阻器件具有更改进的稳定性和可靠性。

公开(公告)号：CN1652249A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510004452.8

申请日：2005-01-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄淳元 ,  宋利宪 ,  廉根永 ,  郑硕才

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/00 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L43/12 ,  G11C11/16

Abstract: 提供一种制造纳米尺寸磁性隧道结单元的方法，其中在磁性隧道结单元中的接触不需要形成接触孔而形成。形成磁性隧道结单元的方法包括在衬底上形成一磁性隧道结层，通过构图磁性隧道结层形成磁性隧道结单元区域，在磁性隧道结层上依次沉积一绝缘层和一掩模层，通过在同一蚀刻速率下蚀刻掩模层和绝缘层曝露磁性隧道结单元区域的上表面，以及在绝缘层和磁性隧道结层上面沉积一金属层。

公开(公告)号：CN1538539A

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN200410039761.4

申请日：2004-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄淳元 ,  宋利宪 ,  金泰完

IPC: H01L43/12 ,  H01L21/70 ,  G11C11/14

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/16 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供了一种形成磁性随机存取存储器(MRAM)的磁性隧道结(MTJ)层的方法。在衬底上顺序形成下部材料层、绝缘层和上部材料层。在上部材料层的预定区域上形成掩模图案。使用由蚀刻气体产生的等离子顺序去除环绕掩模图案形成的上部材料层、绝缘层和下部材料层，其中，蚀刻气体是具有预定混合比的主要气体和附加气体的混合物，但是不包括氯(Cl2)气。去除掩模图案。这样可以在室温下执行蚀刻处理。因此，有可能避免对MTJ层产生热损伤。蚀刻处理的副产品不稳定，可以避免副产品沉积在MTJ层的两侧，MTJ层具有良好剖面。由于氯(Cl2)气不用作蚀刻气体，因此可避免在MTJ层的两侧产生阶差，并且可避免MTJ层受到不必要的腐蚀。