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公开(公告)号:CN117096158A
公开(公告)日:2023-11-21
申请号:CN202310422743.7
申请日:2023-04-19
Applicant: 三星电子株式会社 , 崇实大学校产学协力团
Abstract: 公开了驱动电路板、电子装置和制造电子装置的方法。驱动电路板包括:多个驱动电极区域,在驱动电路板的表面上;多个驱动电极,在所述多个驱动电极区域中的每个上对称地布置;以及驱动电路,电连接到所述多个驱动电极中的至少一个,其中所述多个驱动电极包括不连接到驱动电路的至少一个虚设电极。
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公开(公告)号:CN105985611B
公开(公告)日:2018-08-07
申请号:CN201511032372.3
申请日:2015-12-31
Applicant: 崇实大学校产学协力团
CPC classification number: H01L51/0036 , B01J20/226 , C23C18/1204 , C23C18/1254 , H01L51/0004 , H01L51/0035 , H01L51/004 , H01L51/0094 , H01L51/0558 , H01L51/42 , H01L51/5012 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本申请提供了一种有机半导体组合物及其制造方法。该制造有机半导体组合物的方法包括:通过搅拌溶胶有机半导体和溶胶有机金属前体来制造有机半导体组合物。此处,制造有机半导体组合物包括:经过搅拌溶胶有机金属前体而形成胶凝有机金属前体,通过允许溶胶有机半导体正交地穿透所述胶凝有机金属前体的晶格结构中的空隙来形成三维有机半导体组合物。
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公开(公告)号:CN106547343A
公开(公告)日:2017-03-29
申请号:CN201610301210.3
申请日:2016-05-09
Applicant: 崇实大学校产学协力团
IPC: G06F3/01
Abstract: 提供了传感器集成式触觉设备、用于制造传感器集成式触觉设备的方法以及包括传感器集成式触觉设备的电子设备。具体地,传感器集成式触觉设备包括传感器和形成为布置成与传感器在同一平面上的致动器,并且传感器和致动器中的每一个包括通过第一工艺形成的下电极、通过第二工艺形成在下电极上的离子弹性体层以及通过第三工艺形成在离子弹性体层上的上电极。
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公开(公告)号:CN106547343B
公开(公告)日:2020-05-29
申请号:CN201610301210.3
申请日:2016-05-09
Applicant: 崇实大学校产学协力团
IPC: G06F3/01
Abstract: 提供了传感器集成式触觉设备、用于制造传感器集成式触觉设备的方法以及包括传感器集成式触觉设备的电子设备。具体地,传感器集成式触觉设备包括传感器和形成为布置成与传感器在同一平面上的致动器,并且传感器和致动器中的每一个包括通过第一工艺形成的下电极、通过第二工艺形成在下电极上的离子弹性体层以及通过第三工艺形成在离子弹性体层上的上电极。
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公开(公告)号:CN105985611A
公开(公告)日:2016-10-05
申请号:CN201511032372.3
申请日:2015-12-31
Applicant: 崇实大学校产学协力团
CPC classification number: H01L51/0036 , B01J20/226 , C23C18/1204 , C23C18/1254 , H01L51/0004 , H01L51/0035 , H01L51/004 , H01L51/0094 , H01L51/0558 , H01L51/42 , H01L51/5012 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , C08L65/00 , C08L2205/02 , H01L51/10 , H01L51/44 , C08K5/54
Abstract: 本申请提供了一种有机半导体化合物及其制造方法。该制造有机半导体化合物的方法包括:通过搅拌溶胶有机半导体和溶胶有机金属前体来制造有机半导体化合物。此处,制造有机半导体化合物包括:经过搅拌溶胶有机金属前体而形成胶凝有机金属前体,通过允许溶胶有机半导体正交地穿透所述胶凝有机金属前体的晶格结构中的空隙来形成三维有机半导体化合物。
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