公开(公告)号：CN105717570A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510954880.0

申请日：2015-12-17

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星SDI株式会社

Inventor： 房非非 ,  金范锡 ,  尹晟准 ,  李东润 ,  B.郑 ,  郑明燮 ,  张元硕

IPC: G02B5/30

Abstract: 本发明涉及偏振膜、抗反射膜、显示器件和用于偏振膜的组合物。所述偏振膜包括聚烯烃和二向色性染料的高温伸长膜，且所述聚烯烃在约210℃(±3℃)的温度下具有范围为约2600Pa·s-约17400Pa·s的零剪切粘度(η0)。

公开(公告)号：CN105717570B

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201510954880.0

申请日：2015-12-17

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星SDI株式会社

Inventor： 房非非 ,  金范锡 ,  尹晟准 ,  李东润 ,  B.郑 ,  郑明燮 ,  张元硕

IPC: G02B5/30

Abstract: 本发明涉及偏振膜、抗反射膜、显示器件和用于偏振膜的组合物。所述偏振膜包括聚烯烃和二向色性染料的高温伸长膜，且所述聚烯烃在约210℃(±3℃)的温度下具有范围为约2600Pa·s‑约17400Pa·s的零剪切粘度(η0)。

公开(公告)号：CN119677197A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411824217.4

申请日：2021-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟勋 ,  金范锡 ,  李允基 ,  金保美 ,  李宽熙 ,  郑允智

IPC: H10F39/18 ,  H04N25/779 ,  H04N25/76 ,  H04N25/77

Abstract: 本发明提供了一种像素阵列和包括其的图像传感器。该像素阵列包括多个像素组，每个像素组包括：多个单位像素，分别包括设置在半导体衬底中的光电转换元件；沟槽结构，设置在半导体衬底中，并在垂直方向上从半导体衬底的第一表面延伸到半导体衬底的第二表面，以使光电转换元件彼此电分离且光学分离；以及微透镜，设置在半导体衬底上方或下方，微透镜覆盖所述多个单位像素中的所有的光电转换元件，以将入射光聚焦到光电转换元件。

公开(公告)号：CN112198573B

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202010649962.5

申请日：2020-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔玹硕 ,  金范锡 ,  金柱炫 ,  宋薰 ,  安重权 ,  金成德 ,  李泓锡 ,  韩盛现

IPC: G02B5/18

Abstract: 本公开提供了衍射光学元件和装置。一种衍射光学元件包括具有沿着面内方向的多个光轴的衍射层，其中该衍射层包括满足关系式1A至3A之一的各向异性材料，关系式1AΔn1(450nm)

公开(公告)号：CN115706124A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210864315.5

申请日：2022-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李允基 ,  朴钟勋 ,  金范锡 ,  金廷玹 ,  俞铉根 ,  郑允智

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器及其制造方法。制造图像传感器的方法包括：形成第一导电类型的半导体衬底；在所述半导体衬底中形成像素隔离沟槽以限定像素区域；在所述像素隔离沟槽中形成衬垫绝缘层；用所述第一导电类型的掺杂剂掺杂所述衬垫绝缘层；在掺杂所述掺杂剂之后，在所述衬垫绝缘层上形成半导体层以填充所述像素隔离沟槽；以及对所述半导体衬底执行热处理工艺。

公开(公告)号：CN113474822A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202080015016.3

申请日：2020-02-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金启显 ,  崔闰熙 ,  权槿周 ,  金范锡 ,  李相沅 ,  李有真 ,  张台永

IPC: G06T13/60 ,  G06T7/50 ,  G06T7/10

Abstract: 一种用于在图像中提供天气效果的系统和方法，包括选择指示天气的至少一个天气纹理图像，并且通过在图像上重叠所选天气纹理图像来提供图像中的天气效果。一种在图像中提供天气效果的方法，包括接收关于图像中的对象的形状的对象识别信息和关于图像中的对象的深度的空间信息，选择指示天气的至少一个天气纹理图像，以及在图像中提供天气效果。

公开(公告)号：CN112992942A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202011175490.0

申请日：2020-10-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李景镐 ,  金范锡 ,  沈殷燮

IPC: H01L27/146

Abstract: 公开了一种图像传感器包括：半导体衬底，具有第一表面和第二表面，并具有像素区域，该像素区域具有光电转换区域；栅电极，设置在像素区域上并与第一表面相邻；第一隔离结构，从第一表朝向第二表面延伸，第一隔离结构包括：第一像素隔离图案，包围像素区域；以及第一内部隔离图案，与第一像素隔离图案间隔开并且位于光电转换区域之间；以及第二隔离结构，从第二表朝向第一表面延伸，具有与第一隔离结构的底表面的至少一部分竖直地间隔开的顶表面。与半导体衬底的第一表面相比，第一隔离结构的底表面更靠近半导体衬底的第二表面。

公开(公告)号：CN112929585A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202011036929.1

申请日：2020-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 藤田雅人 ,  李允基 ,  沈殷燮 ,  李景镐 ,  金范锡 ,  金泰汉

IPC: H04N5/369 ,  H04N5/232 ,  H04N5/357 ,  H01L27/146

Abstract: 公开了一种图像传感器，其包括：第一光电二极管组；第二光电二极管组；第一转移晶体管组；第二转移晶体管组；其中存储有第一光电二极管组中产生的电荷的衬底的浮置扩散区；以及用于向第二光电二极管组施加电源电压的电源节点。将势垒电压施加到第二转移晶体管组的至少一个转移晶体管。电源电压使第二光电二极管组中产生的电荷迁移到电源节点，势垒电压在第二光电二极管组与浮置扩散区之间形成势垒。

公开(公告)号：CN111491117A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN202010174341.6

申请日：2018-04-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟勋 ,  金范锡 ,  金正生 ,  章敏 ,  郑泰燮 ,  郑赫镇 ,  琴东旻 ,  文昌碌

IPC: H04N5/369 ,  H04N1/028 ,  H01L27/146

Abstract: 提供了包括阻光图案的光学传感器以及包括该光学传感器的电子设备。光学传感器可以包括多个光电转换区域、在所述多个光电转换区域上的多个透镜、以及在所述多个光电转换区域与所述多个透镜之间延伸的阻光层。阻光层可以包括在所述多个光电转换区域中的第一光电转换区域与所述多个透镜中的第一透镜之间的开口。光学传感器可以配置为与显示面板组装，使得所述多个透镜设置在阻光层与显示面板之间。

公开(公告)号：CN110034138A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201811561957.8

申请日：2018-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金保美 ,  金范锡 ,  金正生 ,  李允基 ,  郑泰燮

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了图像传感器。图像传感器可以包括多个单元像素以及在所述多个单元像素上的滤色器阵列。滤色器阵列可以包括滤色器单元，该滤色器单元包括布置为二乘二阵列的四个滤色器，并且所述四个滤色器可以包括两个黄色滤色器、青色滤色器、以及红色滤色器和绿色滤色器中的一个。