公开(公告)号：CN102842722A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201210212041.8

申请日：2012-06-21

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星电机株式会社

Inventor： 徐受延 ,  郭灿 ,  朴喜正

IPC: H01M4/86 ,  H01M8/02 ,  H01M8/10

CPC classification number: H01M4/8621 ,  H01M4/8652 ,  H01M4/9033 ,  H01M8/1213 ,  H01M8/1231

Abstract: 提供固体氧化物燃料电池用材料、阴极和固体氧化物燃料电池。所述材料包括：具有钙钛矿晶体结构、第一离子电导率、第一电子电导率和第一热膨胀系数的第一化合物，其中所述第一化合物由下式1表示；和具有钙钛矿晶体结构、第二离子电导率、第二电子电导率和第二热膨胀系数的第二化合物，其中Z为过渡金属元素、镧系元素、或者其组合，a和b分别满足0.4≤a≤0.6和0.4≤b≤0.6，x和y分别满足0.6≤x≤0.9和0.1≤y≤0.4，和δ选择为使得所述第一化合物为电中性。式1BaaSrbCoxFeyZ1-x-yO3-δ

公开(公告)号：CN102738492A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210090476.X

申请日：2012-03-30

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星电机株式会社

Inventor： 徐受延 ,  郭燦 ,  朴喜正

IPC: H01M8/10 ,  H01M8/02 ,  H01M4/86

CPC classification number: H01M4/8621 ,  H01M4/8657 ,  H01M4/9016 ,  H01M8/1213 ,  Y10T428/2982

Abstract: 提供固体氧化物燃料电池用材料、和含该材料的阴极及固体氧化物燃料电池。通过将过渡金属元素和/或镧系元素掺杂至钙钛矿型氧化物，即使在低温区域也可实现高的离子电导率和低的热膨胀系数。

公开(公告)号：CN102751508A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210114231.6

申请日：2012-04-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴喜正 ,  郭灿

IPC: H01M4/86 ,  H01M8/02 ,  H01M8/10

CPC classification number: C01G51/68 ,  C01P2002/34 ,  C04B35/2633 ,  C04B35/2641 ,  C04B35/50 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/768 ,  H01M4/9033 ,  H01M2008/1293

Abstract: 本发明涉及阴极材料、含其的阴极和含其的固体氧化物燃料电池。用于燃料电池的阴极材料包括具有金属缺陷位置的钙钛矿型金属氧化物和用至少两种镧系元素共掺杂的基于二氧化铈的金属氧化物，所述镧系元素具有约0.90-约的平均半径。

公开(公告)号：CN105321591A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510275760.8

申请日：2015-05-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文庚奭 ,  金相壹 ,  金世润 ,  朴喜正 ,  李孝锡 ,  崔在荣

IPC: H01B1/10 ,  H01B1/06 ,  C01B19/04 ,  H01L51/52

CPC classification number: C01B19/007 ,  C01B19/04 ,  C01P2006/40 ,  H01B1/06 ,  H01L21/02562 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/54

Abstract: 公开导电薄膜和包括其的电子器件。所述导电薄膜包括由化学式1表示并且具有层状晶体结构的化合物，其中，Me为Ru、Os、Re、Rh、Ir、Pd、Pt、Cu、Ag、或者Au，和Ch为硫、硒、碲、或其组合。化学式1：MeCh2。

公开(公告)号：CN105321591B

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201510275760.8

申请日：2015-05-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文庚奭 ,  金相壹 ,  金世润 ,  朴喜正 ,  李孝锡 ,  崔在荣

IPC: H01B1/10 ,  H01B1/06 ,  C01B19/04 ,  H01L51/52

Abstract: 公开导电薄膜和包括其的电子器件。所述导电薄膜包括由化学式1表示并且具有层状晶体结构的化合物，其中，Me为Ru、Os、Re、Rh、Ir、Pd、Pt、Cu、Ag、或者Au，和Ch为硫、硒、碲、或其组合。化学式1MeCh2。

公开(公告)号：CN105271280A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510137816.3

申请日：2015-03-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁度源 ,  朴喜正 ,  孙仑喆 ,  李宇镇 ,  金相壹 ,  崔在荣

IPC: C01B35/04

CPC classification number: C01B35/04 ,  C01P2004/24 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/60 ,  H01B1/06

Abstract: 本发明提供导电薄膜和包括其的电子器件。所述导电薄膜包括由化学式1表示并且具有层状晶体结构的化合物，其中，Me为Au、Al、Ag、Mg、Ta、Nb、Y、W、V、Mo、Sc、Cr、Mn、Os、Tc、Ru、Fe、Zr、或Ti。化学式1：MeB2。