公开(公告)号：CN120018513A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202411453463.3

申请日：2024-10-17

Applicant: 三星电子株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： S-H·杨 ,  M·G·萨曼特 ,  P·C·菲利普 ,  C·加格 ,  F·伊赫蒂亚尔 ,  J·郑

IPC: H10B61/00 ,  H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  H10N50/01

Abstract: 提供了用于利用自旋转移矩的MRAM器件的方法和装置。一种器件包括：衬底；在衬底上方形成的MTJ，MTJ包括参考层、隧道势垒层和自由层；以及在MTJ的自由层上方形成的PSM层。PSM层(即，手性材料层)可以被形成为与MTJ的自由层相邻(或与TBL相邻，TBL与自由层相邻)，从而提供自旋转移矩的附加源，并提供可用较低切换电流操作的MTJ器件。

公开(公告)号：CN118779256A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410386718.2

申请日：2024-04-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴熙权 ,  金钟民 ,  J·郑 ,  崔昌皓 ,  奇亮奭

IPC: G06F12/0882 ,  G06F3/06

Abstract: 一种用于存储的页镜像的系统和方法。在一些实施例中，该方法包括：从持久存储器设备读取第一数据；确立第一数据被存储在第一高速缓存中；以及将第一数据从第一高速缓存复制到系统存储器，其中，该持久存储器设备支持外部协议和存储器协议。