公开(公告)号：CN110021385A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201811256113.2

申请日：2018-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： G.海德 ,  H.西姆卡 ,  C.伯温

IPC: G16C20/70 ,  G16C60/00 ,  H01L23/532

Abstract: 本公开涉及一种表征用在电子器件中的材料的方法及半导体器件。描述了一种表征用在半导体器件中的材料的方法以及使用该材料的半导体器件。该材料具有晶胞和晶体结构。该方法包括仅使用晶胞的正向传导模式来确定材料的品质因数(FOM)。FOM是电阻率乘以平均自由程。FOM可以用于确定材料用在半导体器件中的适用性。

公开(公告)号：CN110021385B

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN201811256113.2

申请日：2018-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： G.海德 ,  H.西姆卡 ,  C.伯温

IPC: G16C20/70 ,  G16C60/00 ,  H01L23/532

Abstract: 本公开涉及一种表征用在电子器件中的材料的方法及半导体器件。描述了一种表征用在半导体器件中的材料的方法以及使用该材料的半导体器件。该材料具有晶胞和晶体结构。该方法包括仅使用晶胞的正向传导模式来确定材料的品质因数(FOM)。FOM是电阻率乘以平均自由程。FOM可以用于确定材料用在半导体器件中的适用性。