公开(公告)号：CN104576736A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410440478.6

申请日：2014-09-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 今井清隆 ,  金永权 ,  前田茂伸 ,  黄淳哲

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/266 ,  H01L21/823418 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供了一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括步骤：在衬底上形成屏蔽层，该屏蔽层包括掺杂有第一类型的杂质的第一部分；在屏蔽层上形成第一未掺杂的半导体层；在第一半导体层上形成栅极结构；在第一半导体层中的栅极结构的两侧上形成第一非晶区；以及通过执行第一非晶区的第一热处理使第一非晶区再结晶。

公开(公告)号：CN104576736B

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201410440478.6

申请日：2014-09-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 今井清隆 ,  金永权 ,  前田茂伸 ,  黄淳哲

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括步骤：在衬底上形成屏蔽层，该屏蔽层包括掺杂有第一类型的杂质的第一部分；在屏蔽层上形成第一未掺杂的半导体层；在第一半导体层上形成栅极结构；在第一半导体层中的栅极结构的两侧上形成第一非晶区；以及通过执行第一非晶区的第一热处理使第一非晶区再结晶。