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发明公开
制造半导体器件的方法审中-公开

公开(公告)号：CN119866011A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202411442241.1

申请日：2024-10-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白松义 , 文锦妃 , 李贞娥 , 金玉兰 , 黄世荣 , 申京澈 , 杨性秀 , 禹大光

IPC: H10B12/00 , H01L21/768

Abstract: 一种制造半导体器件的方法。该方法可以包括：在衬底上形成绝缘中间层；在绝缘中间层内部和绝缘中间层上形成钨图案；在绝缘中间层上形成绝缘图案以填充钨图案之间的空间，绝缘图案具有上表面的最低点，该最低点低于每个钨图案的上表面；在每个钨图案的上表面上形成初步钨氧化物层；对初步钨氧化物层执行第一表面等离子体处理以去除初步钨氧化物层的至少一部分，从而形成钨氧化物层和在钨氧化物层上的保护层；以及在保护层和绝缘图案上形成蚀刻停止层。

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