公开(公告)号：CN116129965A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211378014.8

申请日：2022-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高相圭 ,  刘荣旻

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/16

Abstract: 提供了用于改善保留性能的半导体器件及其操作方法。所述半导体器件包括：存储器件；以及控制器，所述控制器被配置为对所述存储器件执行擦除操作，针对深度擦除单元的阈值电压执行纠正操作，并且通过识别所述存储器件的多个单元的阈值电压是否落在预定义范围内来执行擦除验证操作。

公开(公告)号：CN116302666A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211409076.0

申请日：2022-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高相圭 ,  刘荣旻 ,  金种必

IPC: G06F11/10 ,  G11C29/42

Abstract: 提供了一种与非易失性存储器件通信的存储控制器的操作方法。该方法包括：确定包括多个扇区的目标页的编程/擦除(P/E)计数是否大于或等于P/E阈值；基于确定目标页的P/E计数大于或等于P/E阈值来获取目标页；从获取的目标页的多个扇区中确定具有高可靠性的第一扇区和具有低可靠性的第二扇区；以及通过将第一扇区的第一奇偶校验区中的余量区域移动到第二扇区的第二奇偶校验区来扩展第二扇区的第二奇偶校验区。

公开(公告)号：CN118400997A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202311259803.4

申请日：2023-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高相圭 ,  郑爀采 ,  韩相逸 ,  朴正振 ,  金秀炫 ,  李哲 ,  张成豪 ,  张馨元

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括由器件隔离层限定的外围有源图案；栅极结构，所述栅极结构位于所述外围有源图案上；以及栅极间隔物，所述栅极间隔物覆盖所述栅极结构的侧表面的至少一部分。所述栅极结构包括绝缘图案结构和位于所述绝缘图案结构上的金属图案结构。所述绝缘图案结构包括在第一高度在与所述衬底的顶表面平行的第一方向上具有最大深度的凹陷。所述绝缘图案结构包括依次堆叠在所述衬底的所述顶表面上的第一栅极绝缘图案和高k电介质层。所述栅极间隔物包括插入在所述凹陷中的突起。

公开(公告)号：CN115910169A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202210894480.5

申请日：2022-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高相圭 ,  刘荣旻

IPC: G11C16/16 ,  G11C16/08

Abstract: 提供了一种半导体设备的操作方法，该半导体设备包括控制器和在控制器的控制下操作的非易失性存储器件。该操作方法包括：由控制器确定非易失性存储器件是否满足块编程条件；基于非易失性存储器件满足块编程条件，多次执行块编程操作；以及基于非易失性存储器件不满足块编程条件，执行擦除操作。