公开(公告)号：CN116129965A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211378014.8

申请日：2022-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高相圭 ,  刘荣旻

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/16

Abstract: 提供了用于改善保留性能的半导体器件及其操作方法。所述半导体器件包括：存储器件；以及控制器，所述控制器被配置为对所述存储器件执行擦除操作，针对深度擦除单元的阈值电压执行纠正操作，并且通过识别所述存储器件的多个单元的阈值电压是否落在预定义范围内来执行擦除验证操作。

公开(公告)号：CN115910169A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202210894480.5

申请日：2022-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高相圭 ,  刘荣旻

IPC: G11C16/16 ,  G11C16/08

Abstract: 提供了一种半导体设备的操作方法，该半导体设备包括控制器和在控制器的控制下操作的非易失性存储器件。该操作方法包括：由控制器确定非易失性存储器件是否满足块编程条件；基于非易失性存储器件满足块编程条件，多次执行块编程操作；以及基于非易失性存储器件不满足块编程条件，执行擦除操作。

公开(公告)号：CN116302666A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211409076.0

申请日：2022-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高相圭 ,  刘荣旻 ,  金种必

IPC: G06F11/10 ,  G11C29/42

Abstract: 提供了一种与非易失性存储器件通信的存储控制器的操作方法。该方法包括：确定包括多个扇区的目标页的编程/擦除(P/E)计数是否大于或等于P/E阈值；基于确定目标页的P/E计数大于或等于P/E阈值来获取目标页；从获取的目标页的多个扇区中确定具有高可靠性的第一扇区和具有低可靠性的第二扇区；以及通过将第一扇区的第一奇偶校验区中的余量区域移动到第二扇区的第二奇偶校验区来扩展第二扇区的第二奇偶校验区。