公开(公告)号：CN118099172A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202310987674.4

申请日：2023-08-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高宗贤

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供一种图像传感器。所述图像传感器包括：基底，包括具有源极区域和漏极区域的有源区域；源极跟随器栅极图案，在有源区域上，漏极区域和源极区域分别与源极跟随器栅极图案的第一侧表面和第二侧表面邻近；以及栅极绝缘层，在有源区域与源极跟随器栅极图案之间。有源区域的上部包括凹陷区域，并且源极跟随器栅极图案包括有源区域上的主体部分和设置在凹陷区域中并在主体部分下方突出的掩埋部分。第一侧表面与第二侧表面之间的距离是第一长度，并且掩埋部分的中心与第一侧表面之间的距离是第二长度。第二长度大于或等于第一长度的0.1倍并且小于第一长度的0.5倍。

公开(公告)号：CN108257988B

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN201711306044.7

申请日：2017-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高宗贤 ,  李宰圭

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开提供了图像传感器。一种用于确保光电二极管的面积的图像传感器包括像素区域和邻近像素区域的晶体管区域。像素区域可以包括光电二极管和浮置扩散区。晶体管区域可以包括沿像素区域的边缘延伸的晶体管。晶体管区域中的晶体管可以包括重置晶体管、一个或更多个源极跟随器晶体管以及一个或更多个选择晶体管，重置晶体管和与该重置晶体管相邻的一个源极跟随器晶体管可以共用公共漏极区。源极跟随器晶体管和选择晶体管中的两个相邻的晶体管可以每个共用该两个相邻的晶体管之间的公共源极区或公共漏极区。

公开(公告)号：CN114530494A

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN202111390039.5

申请日：2021-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金声仁 ,  宋泰荣 ,  高宗贤

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L27/146

Abstract: 半导体器件可以包括：有源鳍，在衬底上在第一方向上延伸并且包括在位于与所述第一方向相交的第二方向上的两侧开口的凹陷部；源极区和漏极区，分别邻近所述有源鳍的相对端；栅电极，在所述有源鳍的所述凹陷部的上表面上沿所述第二方向横贯所述有源鳍，并且延伸到邻近所述凹陷部的侧面区域；以及栅绝缘层，在所述有源鳍与所述栅电极之间。

公开(公告)号：CN108257988A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201711306044.7

申请日：2017-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高宗贤 ,  李宰圭

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14612 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14638 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14683

Abstract: 本公开提供了图像传感器。一种用于确保光电二极管的面积的图像传感器包括像素区域和邻近像素区域的晶体管区域。像素区域可以包括光电二极管和浮置扩散区。晶体管区域可以包括沿像素区域的边缘延伸的晶体管。晶体管区域中的晶体管可以包括重置晶体管、一个或更多个源极跟随器晶体管以及一个或更多个选择晶体管，重置晶体管和与该重置晶体管相邻的一个源极跟随器晶体管可以共用公共漏极区。源极跟随器晶体管和选择晶体管中的两个相邻的晶体管可以每个共用该两个相邻的晶体管之间的公共源极区或公共漏极区。

公开(公告)号：CN114823758A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210102185.1

申请日：2022-01-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高宗贤

IPC: H01L27/146

Abstract: 公开了一种半导体装置和包括该半导体装置的图像传感器。半导体装置包括：器件隔离层，其在半导体衬底上限定有源区；栅电极，其与有源区交叉；栅极绝缘图案，其在栅电极与半导体衬底之间；第一杂质区，其在有源区中设置在栅电极的第一侧；以及第二杂质区，其在有源区中设置在栅电极的第二侧，栅极绝缘图案包括邻近于器件隔离层的第一侧壁的第一边缘部分、邻近于器件隔离层的第二侧壁的第二边缘部分、以及第一边缘部分和第二边缘部分之间的中心部分，并且第一边缘部分具有第一厚度，第二边缘部分具有小于第一厚度的第二厚度。