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公开(公告)号：CN118352370A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410041519.8
申请日：2024-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：衬底以及第一共享像素和第二共享像素，第一共享像素和第二共享像素在横跨衬底的第一方向上彼此相邻地延伸。共享像素中的每一个包括：多个浮置扩散区域，其位于衬底内的间隔开的位置处；以及多个间隔开的源极跟随器栅极，其电连接到多个浮置扩散区域。提供了深沟槽隔离结构，其在衬底内延伸并且至少部分地将第一共享像素和第二共享像素彼此分隔开。提供了接触阻挡结构，其在衬底上延伸，与深沟槽隔离结构竖直地重叠，至少部分地将第一共享像素和第二共享像素彼此分隔开，并且被布置成具有在与第一方向正交的第二方向上的长轴并且在第一共享像素的源极跟随器栅极和第二共享像素的源极跟随器栅极之间。
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公开(公告)号：CN118039657A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311009013.0
申请日：2023-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器和包括该图像传感器的电子系统。图像传感器包括：基底，具有像素区域，有源区域被限定在像素区域中；以及栅电极，位于有源区域上，其中，有源区域包括沿着其顶表面的轮廓延伸的边缘部分，边缘部分包括具有第一曲率半径的局部圆形边缘部分，第一曲率半径比边缘部分的其他部分的第二曲率半径大，其中，栅电极包括横向栅极部、竖直栅极部和圆形内拐角部，横向栅极部位于有源区域的顶表面的一部分上，竖直栅极部位于有源区域的侧壁上，圆形内拐角部一体地连接到横向栅极部和竖直栅极部，圆形内拐角部面对局部圆形边缘部分。
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公开(公告)号：CN110211976B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201910125827.8
申请日：2019-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器芯片可以包括第一子芯片、在第一子芯片上的第二子芯片、以及在第一子芯片与第二子芯片之间的互连。第一子芯片可以包括第一基板、在第一基板的第一区域上的底电极和在底电极上的第一电容器。第一电容器可以包括从底电极的顶表面垂直延伸的多个第一电极、在第一电极上的第二电极、以及在第二电极与第一电极之间的第一电介质层。第二子芯片可以包括配置为将入射光转换成电信号的像素阵列。像素阵列可以通过互连电连接到第一电容器。
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公开(公告)号：CN114530494A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202111390039.5
申请日：2021-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L27/146
Abstract: 半导体器件可以包括：有源鳍，在衬底上在第一方向上延伸并且包括在位于与所述第一方向相交的第二方向上的两侧开口的凹陷部；源极区和漏极区，分别邻近所述有源鳍的相对端；栅电极，在所述有源鳍的所述凹陷部的上表面上沿所述第二方向横贯所述有源鳍，并且延伸到邻近所述凹陷部的侧面区域；以及栅绝缘层，在所述有源鳍与所述栅电极之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117457691A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202310910874.X
申请日：2023-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 图像传感器包括：衬底，其包括在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面；光电转换区域，其设置在衬底中；有源区域，其设置在衬底中和光电转换区域上；元件隔离图案，其从衬底的第一表面延伸到衬底中并且限定有源区域；以及传输栅电极，其包括：第一部分，其从衬底的第一表面延伸并且延伸穿过元件隔离图案；以及第二部分，其设置在有源区域上，其中，第一部分延伸穿过元件隔离图案的底表面，其中，第一部分的底表面的竖直水平低于元件隔离图案的底表面的竖直水平。
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公开(公告)号：CN116913931A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310347222.X
申请日：2023-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/616 , H04N25/76
Abstract: 公开图像传感器和包括图像传感器的电子系统。所述图像传感器包括具有像素区域的基底和设置在像素区域中的晶体管，在像素区域中限定具有由局部切口空间限制的局部不对称鳍区域的有源区域。晶体管包括水平栅极部分和竖直栅极部分，水平栅极部分设置在有源区域上，竖直栅极部分填充局部切口空间并面对局部不对称鳍区域的鳍侧壁之一。形成在有源区域中的源极区域和漏极区域距局部不对称鳍区域的距离彼此不同。所述电子系统包括至少一个相机模块和处理器，所述至少一个相机模块包括图像传感器，处理器被配置为处理从所述至少一个相机模块提供的图像数据。
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公开(公告)号：CN116978917A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310456714.2
申请日：2023-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：像素分离部，在基板中并配置为分离像素，像素包括第一像素，像素分离部包括至少部分地限定第一像素的第一至第四侧壁；第一源极跟随器栅电极，在第一像素上并与第一侧壁和第二侧壁相邻；第一杂质区，与第一侧壁和第二侧壁相遇的第一拐角相邻；第二杂质区，与第二侧壁和第三侧壁相遇的第二拐角相邻；以及第三杂质区，与第一侧壁和第四侧壁相遇的第三拐角相邻。第一至第三杂质区与第一源极跟随器栅电极相邻。第二杂质区和第三杂质区彼此电连接。
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公开(公告)号：CN110211976A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910125827.8
申请日：2019-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器芯片可以包括第一子芯片、在第一子芯片上的第二子芯片、以及在第一子芯片与第二子芯片之间的互连。第一子芯片可以包括第一基板、在第一基板的第一区域上的底电极和在底电极上的第一电容器。第一电容器可以包括从底电极的顶表面垂直延伸的多个第一电极、在第一电极上的第二电极、以及在第二电极与第一电极之间的第一电介质层。第二子芯片可以包括配置为将入射光转换成电信号的像素阵列。像素阵列可以通过互连电连接到第一电容器。
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公开(公告)号：CN108257993A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201711458782.3
申请日：2017-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/14616 , H01L27/14689 , H01L29/0847 , H01L29/4236 , H01L29/78 , H01L29/7827 , H04N5/374 , H04N5/378 , H01L27/14612 , H01L27/14636
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件包括衬底、在衬底内在第一方向上彼此间隔开的第一凹陷和第二凹陷、填充第一凹陷并突出超过衬底的第一栅电极、填充第二凹陷并突出超过衬底的第二栅电极、形成在第一凹陷与第二凹陷之间的第一源极/漏极、相对于第一凹陷形成在与第一源极/漏极相反的方向上的第二源极/漏极、以及相对于第二凹陷形成在与第一源极/漏极相反的方向上并且电连接到第二源极/漏极的第三源极/漏极。
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