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公开(公告)号:CN116069548A
公开(公告)日:2023-05-05
申请号:CN202211132879.6
申请日:2022-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供存储器装置、存储器模块和存储器控制器的操作方法。存储器装置包括:存储器单元阵列包括存储数据的正常区域和存储数据的奇偶校验位的奇偶校验区域;以及纠错码(ECC)引擎。ECC引擎被配置为基于第一数据和奇偶校验位确定第一数据中是否存在错误,并且响应于从存储器控制器接收到不纠正读取命令,输出处于第一数据中的错误位未被纠正的状态的第二数据。
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公开(公告)号:CN118230799A
公开(公告)日:2024-06-21
申请号:CN202311735608.4
申请日:2023-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储器控制器和包括存储器控制器的存储器系统。所述存储器系统包括:存储器装置;以及存储器控制器,被配置为:基于刷洗周期控制巡回刷洗操作,在刷洗操作中,数据从存储器装置读取并且被重写到存储器装置;并且基于存储器装置的错误计数值与多个风险阈值的比较来自适应地调节刷洗周期。
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公开(公告)号:CN117349057A
公开(公告)日:2024-01-05
申请号:CN202310436130.9
申请日:2023-04-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种电子设备,包括:存储器模块,存储器模块包括至少一个动态随机访问存储器,以及处理器,处理器被配置为访问存储器模块,响应于当从存储器模块读取数据时检测到纠正的错误,确定与纠正的错误的地址相关联的纠正的错误计数,读取与纠正的错误相关联的错误日志,基于错误日志来确定纠正的错误的风险级别,和响应于纠正的错误的风险级别为高,对纠正的错误的地址调度封装后修复(PPR)。
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公开(公告)号:CN115878367A
公开(公告)日:2023-03-31
申请号:CN202211115689.3
申请日:2022-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器模块的操作方法和存储器控制器的操作方法,所述存储器控制器被配置为:控制包括多个存储器装置和至少一个纠错码(ECC)装置的存储器模块。所述存储器控制器的操作方法包括:基于读取命令和第一地址,读取包括存储在所述多个存储器装置中的用户数据和存储在所述至少一个ECC装置中的ECC数据的数据集;以及当用户数据的错误未基于ECC数据被纠正时,将不可纠正数据写入存储区域中,存储区域被包括在所述多个存储器装置和所述至少一个ECC装置中的每个中并且与第一地址对应。
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公开(公告)号:CN118069414A
公开(公告)日:2024-05-24
申请号:CN202310819615.6
申请日:2023-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供用于存储器装置的错误恢复操作的方法和存储器系统。所述方法包括:在存储器系统上电时执行存储器装置的训练操作;通过基于训练操作的结果使用多个操作频率中的选择的操作频率来操作存储器装置,将操作系统启动至正常模式;响应于操作系统对存储器装置的选择的操作频率的改变而检测所述多个操作频率之中的错误频率,错误频率是导致存储器装置中的至少一个错误的操作频率;以及将关于检测到的错误频率的信息存储在第一寄存器中,第一寄存器被包括在与存储器装置相关联的存储器控制器中。
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公开(公告)号:CN1893279B
公开(公告)日:2010-06-23
申请号:CN200610103087.0
申请日:2006-07-10
Applicant: 三星电子株式会社 , 学校法人浦项工科大学校
CPC classification number: H03M1/0809 , H03M1/365
Abstract: 一种泡沫错误抑制器包含级联的前端和后端表决部分,用来纠正来自内插的、跨越多个比特的泡沫错误。前端表决部分从根据前置放大信号确定的第一温度计编码生成第一校正代码。后端表决部分从第一校正代码和根据对前置放大信号的内插确定的第二温度计编码生成第二校正代码。
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公开(公告)号:CN1893279A
公开(公告)日:2007-01-10
申请号:CN200610103087.0
申请日:2006-07-10
Applicant: 三星电子株式会社 , 学校法人浦项工科大学校
CPC classification number: H03M1/0809 , H03M1/365
Abstract: 一种泡沫错误抑制器包含级联的前端和后端表决部分,用来纠正来自内插的、跨越多个比特的泡沫错误。前端表决部分从根据前置放大信号确定的第一温度计编码生成第一校正代码。后端表决部分从第一校正代码和根据对前置放大信号的内插确定的第二温度计编码生成第二校正代码。
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