公开(公告)号：CN106611793A

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201610245093.3

申请日：2016-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 豪尔赫·A·基特 ,  博尔纳·J·奥布拉多维奇 ,  罗伯特·C·鲍文 ,  马克·S·罗德

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/15 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/12 ,  H01L29/15 ,  H01L29/66477

Abstract: 示例性实施例提供用于制造具有一个或更多个子堆叠件的纳米片堆叠结构。示例性实施例的方面包括：生长一个或更多个子堆叠件的外延晶体初始堆叠件，子堆叠件中的每个具有至少三个层，牺牲层A和具有不同的材料性质的至少两个不同的非牺牲层B和C；继续进行纳米片器件的制造流程，从而在外延晶体堆叠件的每个端部处形成柱结构，所述柱结构用于在选择性蚀刻牺牲层之后将纳米片保持在适当的位置；相对于所有的非牺牲层B和C选择性地去除牺牲层A，同时堆叠件中的保留的层通过柱结构保持在适当的位置，使得在去除牺牲层A之后，子堆叠件中的每个包含非牺牲层B和C。

公开(公告)号：CN106611793B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN201610245093.3

申请日：2016-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 豪尔赫·A·基特 ,  博尔纳·J·奥布拉多维奇 ,  罗伯特·C·鲍文 ,  马克·S·罗德

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/15 ,  H01L21/336

Abstract: 示例性实施例提供用于制造具有一个或更多个子堆叠件的纳米片堆叠结构。示例性实施例的方面包括：生长一个或更多个子堆叠件的外延晶体初始堆叠件，子堆叠件中的每个具有至少三个层，牺牲层A和具有不同的材料性质的至少两个不同的非牺牲层B和C；继续进行纳米片器件的制造流程，从而在外延晶体堆叠件的每个端部处形成柱结构，所述柱结构用于在选择性蚀刻牺牲层之后将纳米片保持在适当的位置；相对于所有的非牺牲层B和C选择性地去除牺牲层A，同时堆叠件中的保留的层通过柱结构保持在适当的位置，使得在去除牺牲层A之后，子堆叠件中的每个包含非牺牲层B和C。

公开(公告)号：CN105185692B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201510126114.5

申请日：2015-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 王维一 ,  马克·S·罗德

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/02373 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/324 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明公开了一种应变弛豫方法、一种形成应变弛豫半导体层的方法和一种形成半导体器件的方法。提供了形成应变弛豫半导体层的方法，其中，在半导体基底的表面中形成多孔区。在多孔区上形成与半导体基底晶格匹配的第一半导体层。在第一半导体层上形成第二半导体层，第二半导体层形成为应变层。然后，弛豫第二半导体层。

公开(公告)号：CN105185692A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510126114.5

申请日：2015-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 王维一 ,  马克·S·罗德

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/02373 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/324 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/786 ,  H01L21/0203 ,  H01L21/02694

Abstract: 本发明公开了一种应变弛豫方法、一种形成应变弛豫半导体层的方法和一种形成半导体器件的方法。提供了形成应变弛豫半导体层的方法，其中，在半导体基底的表面中形成多孔区。在多孔区上形成与半导体基底晶格匹配的第一半导体层。在第一半导体层上形成第二半导体层，第二半导体层形成为应变层。然后，弛豫第二半导体层。