公开(公告)号：CN1945793A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200610141294.5

申请日：2006-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩硕铉 ,  朴荣奎

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/20 ,  C23F4/00 ,  C23C16/00 ,  C23C14/00 ,  H05H1/00 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67207 ,  H01J37/32009

Abstract: 使用多种不同类型等离子体源来处理衬底。等离子体源可与单个处理室相关。在这种情况下，选择性地操作等离子体源，来处理在处理室中的衬底。或者，等离子体源分别与集成的制造设备中的各个处理室相关联。根据本发明，等离子体源的操作参数，例如使用顺序，构成额外的可以调节的处理参数，最大化处理效率。