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发明公开
半导体器件及包括其的数据存储系统审中-实审

公开(公告)号：CN116033757A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211285735.4

申请日：2022-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊亨 , 李昇珉 , 韩相凡 , 任峻成

IPC: H10B43/35 , H10B43/40 , H10B43/20 , H10B41/35 , H10B41/41 , H10B41/20

Abstract: 一种半导体器件包括堆叠结构，该堆叠结构包括栅极堆叠区和虚设堆叠区。栅极堆叠区包括交替堆叠的层间绝缘层和栅电极。虚设堆叠区包括交替堆叠的虚设绝缘层和虚设水平层。分离结构穿透堆叠结构。垂直存储结构在第一区域中穿透栅极堆叠区。多个栅极接触结构在第二区域中电连接到栅电极。栅电极包括第一栅电极和设置在比第一栅电极的水平高的水平上的第二栅电极。每个栅极接触结构包括栅极接触插塞和第一绝缘间隔物。栅极接触插塞包括第一栅极接触插塞和第二栅极接触插塞，第一栅极接触插塞穿透第二栅电极并接触第一栅电极，第二栅极接触插塞接触第二栅电极。

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