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发明公开
半导体装置审中-实审

公开(公告)号：CN116646355A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202211546997.1

申请日：2022-12-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑学澈 , 金佳林 , 金仁谦 , 韩智允

IPC: H01L27/092

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括第一器件区域和第二器件区域；第一有源图案，位于第一器件区域上；第二有源图案，位于第二器件区域上，具有比第一有源图案的宽度小的宽度；第一沟道图案，位于第一有源图案上；第一源极/漏极图案，连接到第一沟道图案；第二沟道图案，位于第二有源图案上；第二源极/漏极图案，连接到第二沟道图案；以及栅电极，在第一方向上从第一沟道图案延伸到第二沟道图案。第一沟道图案包括竖直堆叠且彼此间隔开的多个半导体图案。第二沟道图案从第二有源图案竖直地突出。

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