公开(公告)号：CN113900357A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202110653917.1

申请日：2021-06-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金旻浩 ,  韩学承 ,  金志泳 ,  朴晋伯

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/84

Abstract: 提供了测量图案均匀性的装置和方法，以及通过使用该测量方法制造掩模的方法。该测量装置包括被配置为生成并输出光的光源，被配置为支撑测量目标的平台，被配置为将从光源输出的光传送到支撑在平台上的测量目标的光学系统，以及被配置为检测由测量目标反射并衍射的光或者通过穿过测量目标而衍射的光的第一检测器，其中第一检测器被配置为检测光瞳平面的光瞳图像，并且基于光瞳图像的零阶光和一阶光中的至少一个的强度来测量测量目标的阵列区域的图案均匀性。

公开(公告)号：CN113494966A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202110238755.5

申请日：2021-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟主 ,  李来源 ,  韩学承 ,  金成洙

IPC: G01J9/00

Abstract: 本公开提供了用于测量极紫外(EUV)掩模的相位的装置和方法及制造掩模的方法。用于测量EUV掩模的相位的装置包括：EUV光源，配置为产生并输出EUV光；至少一个反射镜，配置为反射EUV光作为入射在要测量的EUV掩模上的被反射的EUV光；掩模台，EUV掩模布置在该掩模台上；检测器，配置为接收从EUV掩模反射的EUV光，以获得二维(2D)图像，并测量EUV掩模的反射率和衍射效率；以及处理器，配置为通过使用EUV掩模的反射率和衍射效率来确定EUV掩模的相位。

公开(公告)号：CN112305853A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010709170.2

申请日：2020-07-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩学承 ,  朴相昱 ,  朴钟主 ,  李来原

IPC: G03F1/36 ,  G03F1/52 ,  G03F1/76 ,  H01L21/027

Abstract: 公开了光掩模制造方法和半导体器件制造方法。该光掩模制造方法包括：在具有图像区域和围绕图像区域的边缘区域的掩模衬底上形成反射层；在反射层上形成吸收图案；将第一激光束照射到边缘区域上的反射层和吸收图案以形成黑色边界；使用具有黑色边界的光掩模向测试衬底提供极紫外(EUV)光束以形成测试图案；获得测试图案的临界尺寸校正图；以及使用临界尺寸校正图将第二激光束照射到图像区域一部分上的反射层，以形成比黑色边界厚的被退火区域。