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公开(公告)号：CN1941857B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200610162741.5
申请日：2006-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04N5/3742 , H04N5/3575 , H04N5/378
Abstract: 一种图像传感器，包括有源像素传感器(APS)阵列，第一模数转换器(ADC)和斜坡信号发生器。APS阵列包括排列成二维矩阵的多个像素，其中APS阵列产生用于每列所选择的APS阵列的复位信号和图像信号。第一ADC包括关联双采样(CDS)电路阵列，该关联双采样(CDS)电路阵列包括为每列APS阵列设置的CDS电路，其中第一ADC从采用斜坡信号由CDS电路产生的复位信号和图像信号之间的差值对应的信号中产生数字代码。该斜坡信号发生器产生斜坡信号，其中第二ADC接收所产生的斜坡信号的反馈并且产生反馈基准代码，其中斜坡信号发生器基于采用反馈基准代码进行比较的结果来校准斜坡信号。
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公开(公告)号：CN101221965A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710305783.4
申请日：2007-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14609 , H04N5/374
Abstract: 示范性实施例涉及一种CMOS图像传感器的像素结构及相关方法。该像素结构可以包括第一导电性衬底，在该第一导电性衬底中的第二导电性光电二极管区域，和在该第二导电性光电二极管区域上的电容器电极。
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公开(公告)号：CN1395371A
公开(公告)日：2003-02-05
申请号：CN02127565.3
申请日：2002-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04B1/06
CPC classification number: H04L25/061
Abstract: 披露了一种具有偏移补偿功能的突发模式接收装置及其数据恢复方法。该具有偏移补偿功能的突发模式接收装置包括：中间值检测器，响应开关控制信号，检测外部离散输入的模拟量信号的最大值与最小值之间的中间值，并输出检测到的中间值；放大器，放大输入信号与参考值之间的差，并输出放大结果；偏移补偿器，产生电平随来自放大器的放大结果和补偿控制信号而变化的补偿信号；求和部分，将来自偏移补偿器的补偿信号与来自中间值检测器的中间值相加，并把相加结果作为参考值输出到放大器；和控制器，通过分析来自放大器的放大结果和外部输入的复位信号，产生与分析结果相应的开关控制信号和补偿控制信号。
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公开(公告)号：CN100414843C
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN02127565.3
申请日：2002-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04B1/06
CPC classification number: H04L25/061
Abstract: 披露了一种具有偏移补偿功能的突发模式接收装置及其数据恢复方法。该具有偏移补偿功能的突发模式接收装置包括：中间值检测器，响应开关控制信号，检测外部离散输入的模拟量信号的最大值与最小值之间的中间值，并输出检测到的中间值；放大器，放大输入信号与参考值之间的差，并输出放大结果；偏移补偿器，产生电平随来自放大器的放大结果和补偿控制信号而变化的补偿信号；求和部分，将来自偏移补偿器的补偿信号与来自中间值检测器的中间值相加，并把相加结果作为参考值输出到放大器；和控制器，通过分析来自放大器的放大结果和外部输入的复位信号，产生与分析结果相应的开关控制信号和补偿控制信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101237531A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200710199785.X
申请日：2007-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/335 , H04N3/15 , H01L27/146 , H01L23/522
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14645 , H01L2924/0002 , H04N5/35554 , H04N5/37452 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了互补金属氧化物半导体图像传感器的像素电路及其结构和操作方法。该像素包括：光电二极管；浮置扩散结点，其通过第一开关连接到该光电二极管；源极跟随器，其响应于该浮置扩散结点的电压。通过电容耦合将该浮置扩散结点的电压施加到该源极跟随器。
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公开(公告)号：CN1941857A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610162741.5
申请日：2006-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04N5/3742 , H04N5/3575 , H04N5/378
Abstract: 一种图像传感器，包括有源像素传感器(APS)阵列，第一模数转换器(ADC)和斜坡信号发生器。APS阵列包括排列成二维矩阵的多个像素，其中APS阵列产生用于每列所选择的APS阵列的复位信号和图像信号。第一ADC包括关联双采样(CDS)电路阵列，该关联双采样(CDS)电路阵列包括为每列APS阵列设置的CDS电路，其中第一ADC从采用斜坡信号由CDS电路产生的复位信号和图像信号之间的差值对应的信号中产生数字代码。该斜坡信号发生器产生斜坡信号，其中第二ADC接收所产生的斜坡信号的反馈并且产生反馈基准代码，其中斜坡信号发生器基于采用反馈基准代码进行比较的结果来校准斜坡信号。
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公开(公告)号：CN101166016B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200710194418.0
申请日：2007-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03F3/005 , H03F3/45475 , H03F2203/45514 , H03F2203/45551
Abstract: 一种比率独立的开关电容放大器包括：用于采集第一输入电压作为第一采样电压和在第一输入电压被切断的时间间隔内使第一采样电压的电平变为双倍的第一采样电路；用于采集第二输入电压作为第二采样电压和在第二输入电压被切断的时间间隔内使第二采样电压的电平变为双倍的第二采样电路；以及用于输出第一采样电压和第二采样电压之间的差值的差分放大器电路。
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公开(公告)号：CN101188700A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710305135.9
申请日：2007-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/335 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/378 , H01L27/14643 , H04N5/3535
Abstract: 一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器包括光电二极管、开关和比较器。所述开关将感测信号传送给来自所述光电二极管的感测节点。所述比较器比较所述感测节点的感测信号与参考信号，其中所述比较器直接连接到所述感测节点。所述比较器输出对应于所述感测信号和所述参考信号之间的电压差的信号。
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公开(公告)号：CN101166016A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710194418.0
申请日：2007-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03F3/005 , H03F3/45475 , H03F2203/45514 , H03F2203/45551
Abstract: 一种比率独立的开关电容放大器包括：用于采集第一输入电压作为第一采样电压和在第一输入电压被切断的时间间隔内使第一采样电压的电平变为双倍的第一采样电路；用于采集第二输入电压作为第二采样电压和在第二输入电压被切断的时间间隔内使第二采样电压的电平变为双倍的第二采样电路；以及用于输出第一采样电压和第二采样电压之间的差值的差分放大器电路。
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