-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109087923B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201810600349.7
申请日：2018-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供了半导体器件和图像传感器。一种半导体器件包括在半导体基板上的第一图案、第二图案和第二采样图案。第二图案与第二采样图案以相等的间隔水平地间隔开。第二采样图案包括彼此面对的第一侧壁和第二侧壁、在第一侧壁上的第一点和在第二侧壁上的第二点。第二采样图案和与第二采样图案相关的最相邻第一图案在与连接第一点和第二点的直线平行的方向上以第一水平距离彼此间隔开。第一水平距离大于第二图案中的一个第二图案和与所述一个第二图案相关的最相邻第一图案之间在所述方向上的第二水平距离。
-
公开(公告)号：CN115692439A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210842775.8
申请日：2022-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括双垂直栅极。双垂直栅极包括在第一方向上彼此间隔开并且在与第一方向垂直的第二方向上垂直地延伸到衬底中的两个垂直延伸部分，以及将两个垂直延伸部分彼此连接的连接部分。元件隔离层在第一方向上与垂直延伸部分的侧表面相邻设置。两个垂直延伸部分由在第二方向上延伸的分离区域分开，并且分离区域的顶表面低于元件隔离层的顶表面。
-
公开(公告)号：CN109671731A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811182487.4
申请日：2018-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
Abstract: 一种图像传感器包括：基板，其包括相反的第一表面和第二表面；在基板的第一表面上的第一栅极和第二栅极，第一栅极和第二栅极的每个在第一方向上延伸；第一隔离层，其在第一栅极与第二栅极之间位于基板中，并在交叉第一方向的第二方向上具有第一宽度；第二隔离层，其在基板中位于第一隔离层上，并在第二方向上具有小于第一宽度的第二宽度。第二隔离层比第一隔离层更靠近基板的第二表面。第一隔离层与第二隔离层之间的垂直距离是第一隔离层的高度的1/3或更小。
-
公开(公告)号：CN109087923A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810600349.7
申请日：2018-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14607 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H04N5/374 , H01L27/14603 , H01L27/14605
Abstract: 本公开提供了半导体器件和图像传感器。一种半导体器件包括在半导体基板上的第一图案、第二图案和第二采样图案。第二图案与第二采样图案以相等的间隔水平地间隔开。第二采样图案包括彼此面对的第一侧壁和第二侧壁、在第一侧壁上的第一点和在第二侧壁上的第二点。第二采样图案和与第二采样图案相关的最相邻第一图案在与连接第一点和第二点的直线平行的方向上以第一水平距离彼此间隔开。第一水平距离大于第二图案中的一个第二图案和与所述一个第二图案相关的最相邻第一图案之间在所述方向上的第二水平距离。
-
公开(公告)号：CN109671731B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201811182487.4
申请日：2018-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/70
Abstract: 一种图像传感器包括：基板，其包括相反的第一表面和第二表面；在基板的第一表面上的第一栅极和第二栅极，第一栅极和第二栅极的每个在第一方向上延伸；第一隔离层，其在第一栅极与第二栅极之间位于基板中，并在交叉第一方向的第二方向上具有第一宽度；第二隔离层，其在基板中位于第一隔离层上，并在第二方向上具有小于第一宽度的第二宽度。第二隔离层比第一隔离层更靠近基板的第二表面。第一隔离层与第二隔离层之间的垂直距离是第一隔离层的高度的1/3或更小。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.035 seconds)
