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发明公开
半导体装置审中-实审

公开(公告)号：CN109411532A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201810403205.2

申请日：2018-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申洪湜 , 金泰坤 , 雄一朗·佐佐木

IPC: H01L29/41 , H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：衬底，包括定义有源区的场区；源区/漏区，位于有源区中；沟道区，位于源区/漏区之间；轻掺杂漏(LDD)区，位于源区/漏区中的一个与沟道区之间；以及栅极结构，位于沟道区上。有源区的上部部分可包括外延生长层，所述外延生长层的晶格常数大于硅(Si)的晶格常数，且源区/漏区以及LDD区可掺杂有镓(Ga)。

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