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公开(公告)号：CN113745225A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110465554.9
申请日：2021-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L49/02
Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置包括：下电极，位于基底上；电容器介电膜，在下电极上沿着下电极的与基底垂直的侧表面延伸；上电极，位于电容器介电膜上；界面层，包括位于上电极上的氢阻挡膜和氢旁路膜，氢旁路膜包括导电材料；以及接触插塞，穿透界面层，并且电连接到上电极。
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