公开(公告)号：CN113745196A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202110193507.3

申请日：2021-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金庆希 ,  卢佑哲 ,  金益秀 ,  金埈宽 ,  金陈燮 ,  慎镛珍

IPC: H01L23/538 ,  H01L27/108 ,  H01L27/24

Abstract: 公开了一种半导体器件，其包括：衬底，包括单元阵列区域和外围电路区域；单元晶体管，在衬底的单元阵列区域上；外围晶体管，在衬底的外围电路区域上；第一互连层，连接到单元晶体管；第二互连层，连接到外围晶体管；层间电介质层，覆盖第一互连层；以及阻挡层，与第一互连层间隔开，该阻挡层覆盖第二互连层的顶表面和侧壁。

公开(公告)号：CN106548976B

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：CN201610820102.7

申请日：2016-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢佑哲 ,  韩元奎 ,  吴赫祥 ,  李来寅 ,  韩炅润

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 提供了形成具有介电层的半导体装置的方法及相关设备和系统。在基底上形成层间绝缘层。在层间绝缘层中形成开口。通过用微波辐射具有开口的层间绝缘层来执行脱气工艺。通过用UV光辐射具有开口的层间绝缘层来执行K值恢复工艺。在开口中形成导电层。将脱气工艺和K值恢复工艺作为原位工艺来执行。

公开(公告)号：CN113745225A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202110465554.9

申请日：2021-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金阵燮 ,  金埈宽 ,  卢佑哲 ,  金庆希 ,  金益秀 ,  慎镛珍

IPC: H01L27/108 ,  H01L49/02

Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置包括：下电极，位于基底上；电容器介电膜，在下电极上沿着下电极的与基底垂直的侧表面延伸；上电极，位于电容器介电膜上；界面层，包括位于上电极上的氢阻挡膜和氢旁路膜，氢旁路膜包括导电材料；以及接触插塞，穿透界面层，并且电连接到上电极。

公开(公告)号：CN115241191A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202111505121.8

申请日：2021-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金陈燮 ,  金庆希 ,  金汶濬 ,  金埈宽 ,  卢佑哲

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括单元阵列区域和外围电路区域；电容器，在基底的单元阵列区域上；外围晶体管，在基底的外围电路区域上；第一上层间绝缘层，在电容器和外围晶体管上；第一上接触件，电连接到外围晶体管中的至少一个，第一上接触件穿透第一上层间绝缘层；第一上互连线，设置在第一上层间绝缘层上并且电连接到第一上接触件；第二上层间绝缘层，覆盖第一上互连线；以及第一阻挡层，在第一上层间绝缘层与第二上层间绝缘层之间。在第一上互连线与第一上层间绝缘层之间不存在第一阻挡层。

公开(公告)号：CN106548976A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610820102.7

申请日：2016-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢佑哲 ,  韩元奎 ,  吴赫祥 ,  李来寅 ,  韩炅润

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 提供了形成具有介电层的半导体装置的方法及相关设备和系统。在基底上形成层间绝缘层。在层间绝缘层中形成开口。通过用微波辐射具有开口的层间绝缘层来执行脱气工艺。通过用UV光辐射具有开口的层间绝缘层来执行K值恢复工艺。在开口中形成导电层。将脱气工艺和K值恢复工艺作为原位工艺来执行。