公开(公告)号：CN119468926A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202410193044.4

申请日：2024-02-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔泳铣 ,  权纯阳 ,  金觥乐 ,  朴将列 ,  金智雄 ,  李荣埈

IPC: G01B11/02 ,  G01B11/06

Abstract: 一种使用半导体测量设备制造半导体器件的方法，包括：使用微球提取干涉图案；以及基于干涉图案来测量样品和微球之间的距离。一种半导体测量设备，包括：光源，其被配置为输出至少一个光；扫描仪，其具有微球物镜，扫描仪被配置为允许至少一个光入射在样品上；光谱仪，其被配置为获得从样品反射的光的光谱；以及距离测量设备，其被配置为通过分析光谱中的变化来计算微球到样品距离。

公开(公告)号：CN117810105A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202311192706.8

申请日：2023-09-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟赫 ,  金觥乐 ,  金智雄 ,  朴惠绿 ,  王諪炫 ,  李明俊 ,  赵润济 ,  赵重熙 ,  黄允

IPC: H01L21/66 ,  G01D21/02

Abstract: 一种基板分析系统，包括：装载锁定模块，其被配置为装载或卸载其上形成有图案层的基板；研磨模块，其被配置为形成研磨表面，图案层的至少一部分从研磨表面被去除；深度测量模块，其被配置为测量形成在研磨表面上的分析区域的研磨深度；成像模块，其被配置为捕获分析区域的二维图像；以及控制模块，当研磨深度比设置的目标深度浅时，控制模块控制基板循环通过研磨模块、深度测量模块和成像模块，其中，研磨模块根据基于离子束的强度图接收的扫描轮廓来调整离子束的路径，使得离子束在研磨区域中水平地移动。

公开(公告)号：CN119108250A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202410737403.8

申请日：2024-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵重熙 ,  赵润济 ,  金觥乐 ,  朴钟赫

IPC: H01J37/09 ,  H01J37/02 ,  H01J37/28

Abstract: 一种半导体制造装置包括：电子束源，其被配置为发射电子束；多个会聚透镜，其设置在载物台与电子束源之间，在载物台上安放包括结构的物体；物镜，其设置在多个会聚透镜与载物台之间；光圈，其设置在多个会聚透镜之间；以及控制器，其被配置为获取根据物镜与物体之间的工作距离的多个原始图像，从多个原始图像获取指示结构的图案图像，获取指示电子束在物体上的分布的多个核心图像，获取指示结构在多个原始图像中的相对位置的多个位置矢量，以及基于指示根据工作距离的多个位置矢量的运动的运动矢量调整光圈的位置。