公开(公告)号：CN119720914A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411239261.9

申请日：2024-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜宝景 ,  金艺智 ,  朴民哲 ,  崔秉善 ,  金成烈 ,  金铃九 ,  崔在铭

IPC: G06F30/392 ,  G06F30/398 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/084

Abstract: 提供一种预测半导体布局内的潜在缺陷诱发因素的计算设备。所述计算设备包括：机器学习模块，其计算对应于在基于多个半导体布局图像及对应实际测量数据经训练之后的所述多个半导体布局图像当中的至少一个第一半导体布局图像的预测测量数据，及图像解释模块，其基于利用积分梯度IG方式的图像回归模型而产生所述预测测量数据的属性地图图像，预先分析所述属性地图图像并检测所述属性地图图像内具有对所述预测测量数据具有高敏感度的属性值的元素作为潜在缺陷诱发因素。

公开(公告)号：CN118695587A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410329509.4

申请日：2024-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋仑祜 ,  金俊澈 ,  金甫洙 ,  金艺智 ,  孙寿彬 ,  尹现敦 ,  李南暻

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种集成电路器件，包括：基板，包括单元阵列区和靠近单元阵列区的外围电路区；隔离层，限定外围电路区中的基板的有源区，隔离层包括第一绝缘图案和围绕第一绝缘图案的第二绝缘图案；以及在外围电路区中的基板上的栅极结构，其中第二绝缘图案包括限定在垂直方向上凹入到基板的上表面中的凹陷的一个或更多个表面，垂直方向垂直于基板的上表面延伸。