公开(公告)号：CN119720914A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411239261.9

申请日：2024-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜宝景 ,  金艺智 ,  朴民哲 ,  崔秉善 ,  金成烈 ,  金铃九 ,  崔在铭

IPC: G06F30/392 ,  G06F30/398 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/084

Abstract: 提供一种预测半导体布局内的潜在缺陷诱发因素的计算设备。所述计算设备包括：机器学习模块，其计算对应于在基于多个半导体布局图像及对应实际测量数据经训练之后的所述多个半导体布局图像当中的至少一个第一半导体布局图像的预测测量数据，及图像解释模块，其基于利用积分梯度IG方式的图像回归模型而产生所述预测测量数据的属性地图图像，预先分析所述属性地图图像并检测所述属性地图图像内具有对所述预测测量数据具有高敏感度的属性值的元素作为潜在缺陷诱发因素。

公开(公告)号：CN117436232A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310820669.4

申请日：2023-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南润俊 ,  姜宝景 ,  文晓元 ,  崔秉善 ,  崔在铭 ,  张铉在 ,  许仁

IPC: G06F30/20 ,  G06F18/214 ,  G06F18/27

Abstract: 一种用于半导体设计工艺中的仿真的神经网络的建模方法被提供。在神经网络的建模方法中，第一回归模型基于第一样本数据和第一仿真结果数据而被训练。第一回归模型用于根据第一样本数据预测第一仿真结果数据。第一样本数据表示半导体装置的制造工艺的条件和半导体装置的特性中的至少一个。第一仿真结果数据通过对第一样本数据执行仿真而被获得。响应于第一回归模型的一致性低于目标一致性，第一回归模型基于与第一样本数据不同的第二样本数据而被重新训练。第二样本数据与第一回归模型的一致性降低因素相关联，第一回归模型的一致性降低因素是第一回归模型的预测失败的原由。