公开(公告)号：CN1241785A

公开(公告)日：2000-01-19

申请号：CN99100074.9

申请日：1999-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑泯喆 ,  金炅来

IPC: G11C11/407

CPC classification number: G11C7/1051 ,  G11C7/1039

Abstract: 一种半导体存储器装置及其数据读取方法,在时钟信号为高频和低频的情况下,都能进行二周期流水线读操作。该半导体存储器装置包括:存储单元阵列;读出放大电路;数据输出缓冲器;其特征在于,该数据输出缓冲器包括:电平移动器(60);寄存器(62);第1传输及锁存器(64,68);第2传输及锁存器(66,70);第1反相电路(72);第2反相电路(74);锁存器(76);以及逻辑“与”电路(78)。

公开(公告)号：CN100541662C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200510081018.X

申请日：2005-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔贤洙 ,  金炅来

IPC: G11C11/413 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C7/22 ,  G11C7/20 ,  G11C2207/2227

Abstract: 一种存储设备的唤醒电路采用级联链结构，其中将位线划分成多个块，如果根据块中反馈的位线电压确定一个块的位线已经经历了唤醒操作，则对后续块执行唤醒操作。因此，可以改变唤醒延迟，控制峰值电流，从而减少整个系统的功率噪声。

公开(公告)号：CN100468568C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN99100074.9

申请日：1999-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑泯喆 ,  金炅来

IPC: G11C11/407

CPC classification number: G11C7/1051 ,  G11C7/1039

Abstract: 一种半导体存储器装置及其数据读取方法，在时钟信号为高频和低频的情况下，都能进行二周期流水线读操作。该半导体存储器装置包括：存储单元阵列；读出放大电路；数据输出缓冲器；其特征在于，该数据输出缓冲器包括：电平移动器(60)；寄存器(62)；第1传输及锁存器(64，68)；第2传输及锁存器(66，70)；第1反相电路(72)；第2反相电路(74)；锁存器(76)；以及逻辑“与”电路(78)。

公开(公告)号：CN1725372A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200510081018.X

申请日：2005-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔贤洙 ,  金炅来

IPC: G11C11/413 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C7/22 ,  G11C7/20 ,  G11C2207/2227

Abstract: 一种存储设备的唤醒电路采用级联链结构，其中将位线划分成多个块，如果根据块中反馈的位线电压确定一个块的位线已经经历了唤醒操作，则对后续块执行唤醒操作。因此，可以改变唤醒延迟，控制峰值电流，从而减少整个系统的功率噪声。