公开(公告)号：CN100468568C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN99100074.9

申请日：1999-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑泯喆 ,  金炅来

IPC: G11C11/407

CPC classification number: G11C7/1051 ,  G11C7/1039

Abstract: 一种半导体存储器装置及其数据读取方法，在时钟信号为高频和低频的情况下，都能进行二周期流水线读操作。该半导体存储器装置包括：存储单元阵列；读出放大电路；数据输出缓冲器；其特征在于，该数据输出缓冲器包括：电平移动器(60)；寄存器(62)；第1传输及锁存器(64，68)；第2传输及锁存器(66，70)；第1反相电路(72)；第2反相电路(74)；锁存器(76)；以及逻辑“与”电路(78)。

公开(公告)号：CN1241785A

公开(公告)日：2000-01-19

申请号：CN99100074.9

申请日：1999-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑泯喆 ,  金炅来

IPC: G11C11/407

CPC classification number: G11C7/1051 ,  G11C7/1039

Abstract: 一种半导体存储器装置及其数据读取方法,在时钟信号为高频和低频的情况下,都能进行二周期流水线读操作。该半导体存储器装置包括:存储单元阵列;读出放大电路;数据输出缓冲器;其特征在于,该数据输出缓冲器包括:电平移动器(60);寄存器(62);第1传输及锁存器(64,68);第2传输及锁存器(66,70);第1反相电路(72);第2反相电路(74);锁存器(76);以及逻辑“与”电路(78)。