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公开(公告)号：CN118215301A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202310902716.X
申请日：2023-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了垂直非易失性存储器件及其制造方法。所述垂直非易失性存储器件可以包括：模制结构，其包括第一绝缘图案及第二绝缘图案和第一栅电极；半导体图案，其在第一方向上延伸通过模制结构；第一电荷绝缘层，其位于第一绝缘图案与半导体图案之间；第二电荷绝缘层，其与第一电荷绝缘层间隔开并且位于第二绝缘图案与半导体图案之间；电荷存储层，其位于第一电荷绝缘层与第二电荷绝缘层之间并且位于第一栅电极与半导体图案之间；以及第一阻挡绝缘层，其位于第一栅电极与电荷存储层之间，并且第一栅电极在第一方向上的第一长度短于电荷存储层的与第一阻挡绝缘层接触的第一表面在第一方向上的第二长度。
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