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公开(公告)号:CN107230666B
公开(公告)日:2020-01-10
申请号:CN201710181440.5
申请日:2017-03-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31
Abstract: 本发明提供一种扇出型半导体封装件。该扇出型半导体封装件包括:第一互连构件,具有通孔;半导体芯片,设置在第一互连构件的通孔中并具有其上设置有连接焊盘的有效表面和与有效表面背对的无效表面;包封剂,包封半导体芯片的无效表面和第一互连构件的至少部分;第二互连构件,设置在第一互连构件和半导体芯片的有效表面上;及增强层,设置在包封剂上。第一互连构件和第二互连构件分别包括电连接到半导体芯片的连接焊盘的重新分布层。
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公开(公告)号:CN110137149B
公开(公告)日:2023-04-11
申请号:CN201910109734.6
申请日:2019-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/485 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供了一种扇出型半导体封装件。所述扇出型半导体封装件包括:框架,包括绝缘层、布线层和连接过孔层,并且所述框架具有凹部以及设置在所述凹部的底表面上的止挡层;半导体芯片,设置在所述凹部中;树脂层,设置在所述半导体芯片的有效表面上;包封剂,覆盖所述半导体芯片的侧表面和所述树脂层的侧表面的至少部分并且填充所述凹部的至少部分;第一重新分布层,设置在所述树脂层和所述包封剂上;第一重新分布过孔,穿过所述树脂层以填充所述树脂层中的使所述连接焊盘的至少部分暴露的通路孔,并使所述连接焊盘和所述第一重新分布层彼此电连接;以及连接构件,设置在所述树脂层和所述包封剂上,并且包括一个或更多个第二重新分布层。
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公开(公告)号:CN109727965B
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN201810398245.2
申请日:2018-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种扇出型半导体封装模块及其制造方法。所述扇出型半导体封装模块包括具有第一通孔和第二通孔的芯构件。半导体芯片位于所述第一通孔中,并且包括具有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面背对的无效表面。另一无源组件位于所述第二通孔中。第一包封件覆盖所述芯构件和所述无源组件的至少部分并且填充所述第二通孔的至少部分。增强构件位于所述第一包封件上。第二包封件覆盖所述半导体芯片的至少部分并且填充所述第一通孔的至少部分。连接构件位于所述芯构件、所述半导体芯片的所述有效表面以及所述无源组件上,并且包括电连接到所述连接焊盘和所述无源组件的重新分布层。
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公开(公告)号:CN110137149A
公开(公告)日:2019-08-16
申请号:CN201910109734.6
申请日:2019-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/485 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供了一种扇出型半导体封装件。所述扇出型半导体封装件包括:框架,包括绝缘层、布线层和连接过孔层,并且所述框架具有凹部以及设置在所述凹部的底表面上的止挡层;半导体芯片,设置在所述凹部中;树脂层,设置在所述半导体芯片的有效表面上;包封剂,覆盖所述半导体芯片的侧表面和所述树脂层的侧表面的至少部分并且填充所述凹部的至少部分;第一重新分布层,设置在所述树脂层和所述包封剂上;第一重新分布过孔,穿过所述树脂层以填充所述树脂层中的使所述连接焊盘的至少部分暴露的通路孔,并使所述连接焊盘和所述第一重新分布层彼此电连接;以及连接构件,设置在所述树脂层和所述包封剂上,并且包括一个或更多个第二重新分布层。
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