公开(公告)号：CN1187796C

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN01139609.1

申请日：2001-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑丞弼 ,  池京求 ,  金智秀 ,  秋昌雄 ,  徐相勋

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76897

Abstract: 半导体器件的接触的制造方法包含一系列的预处理工艺，每个工艺都在等离子预处理舱中进行。半导体衬底具有形成在包含硅的材料的下层上的中间层。接触孔形成在中间层中以便露出下层的表面。接着，将半导体衬底装载到等离子预处理舱中。在预处理舱中通过灰化除去光致抗蚀剂图形。然后在等离子舱中除去由接触孔露出的表面处的损坏层。接着，在等离子预处理舱中预清洁该半导体衬底。然后在真空中将该半导体衬底传送到淀积舱。在这里，在该衬底上形成填充接触孔的上层。

公开(公告)号：CN1356719A

公开(公告)日：2002-07-03

申请号：CN01139609.1

申请日：2001-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑丞弼 ,  池京求 ,  金智秀 ,  秋昌雄 ,  徐相勋

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76897

Abstract: 半导体器件的接触的制造方法包含一系列的预处理工艺,每个工艺都在等离子体预处理舱中进行。半导体衬底具有形成在包含硅的材料的下层上的中间层。接触孔形成在中间层中以便露出下层的表面。接着,将半导体衬底装载到等离子体预处理舱中。在预处理舱中通过灰化除去光致抗蚀剂图形。然后在等离子体舱中除去由接触孔露出的表面处的损坏层。接着,在等离子体预处理舱中预清洁该半导体衬底。然后在真空中将该半导体衬底传送到淀积舱。在这里,在该衬底上形成填充接触孔的上层。