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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114242739A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111048596.9
申请日：2021-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/225 , H04N5/369
Abstract: 一种图像传感器包括多个单位像素，每个单位像素包括：基板，包括彼此相对的第一侧和第二侧；在基板中的光电转换层；以及在基板的第一侧上的布线结构。布线结构可以包括：第一电容器；与第一电容器间隔开的第二电容器；沿着单位像素的边缘布置的多个边缘通路；以及插设在第一电容器和第二电容器之间的多个中心通路。
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公开(公告)号：CN117768797A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311231554.8
申请日：2023-09-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/532 , H04N25/531 , H04N25/70 , H04N25/78 , H04N25/75 , H04N25/709
Abstract: 公开了图像传感器和包括图像传感器的图像处理装置。所述图像传感器包括：像素阵列，多个像素被布置在像素阵列中；以及行驱动器。每个像素包括：光电二极管；传输晶体管，用于将光电二极管的光电荷传输到浮置扩散节点(FD)；转换增益控制晶体管；第一源极跟随器，用于放大FD的电压并且将放大后的电压输出到第一节点；预充电选择晶体管，连接在第一节点与第二节点之间；第一电容器；第一采样晶体管，连接在第二节点与第一电容器之间；第二电容器；第二采样晶体管，连接在第二节点与第二电容器之间；第二源极跟随器，用于放大第二节点的电压；第一选择晶体管，连接在第二源极跟随器与列线之间；以及第二选择晶体管，连接在第一节点与列线之间。
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公开(公告)号：CN118200756A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311694313.7
申请日：2023-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种具有高动态范围的图像传感器。根据本发明构思的一些示例实施例的所述图像传感器可在全局快门模式下进行操作，并且每个像素电路可支持高转换增益(HCG)模式和低转换增益(LCG)模式，以便具有高动态范围(HDR)。因此，根据本发明构思的一些示例实施例的所述图像传感器可具有HDR并且可生成高质量图像。
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公开(公告)号：CN114823753A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210037334.0
申请日：2022-01-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器，该图像传感器包括：具有第一表面和第二表面的半导体基板；在第一表面上的晶体管；第一下焊盘电极和第二下焊盘电极，在覆盖晶体管的第一层间绝缘膜上彼此间隔开；在第一下焊盘电极和第二下焊盘电极上的模制绝缘层；第一下电极，在穿过模制绝缘层的第一开口内部在第一下焊盘电极上；第二下电极，在穿过模制绝缘层的第二开口内部在第二下焊盘电极上；电介质膜和上电极，在第一下电极和第二下电极上；第一接触插塞，穿过模制绝缘层并且连接到第一下焊盘电极；以及第二接触插塞，穿过模制绝缘层并且连接到第二下焊盘电极。
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公开(公告)号：CN115706126A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210960703.3
申请日：2022-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括：衬底，包括第一区和第二区；多个单元像素，设置在衬底中，其中所述多个单元像素中的每一个包括光电转换层；像素限定图案，将单元像素彼此分开；表面绝缘膜，设置在衬底上；线结构，设置在衬底上，并且包括第一线间绝缘膜和设置在第一线间绝缘膜中的布线图案；微透镜，设置在第一区中；以及遮光膜，设置在第二区中。遮光膜包括：沿表面绝缘膜的顶表面延伸的水平遮光膜；以及延伸穿过表面绝缘膜和衬底的垂直遮光膜。垂直遮光膜电连接到布线图案。遮光膜电连接到像素限定图案。
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