公开(公告)号：CN114242739A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111048596.9

申请日：2021-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林杠默 ,  金大训 ,  金昇埴 ,  宋智娟 ,  全在勋 ,  赵东锡

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/225 ,  H04N5/369

Abstract: 一种图像传感器包括多个单位像素，每个单位像素包括：基板，包括彼此相对的第一侧和第二侧；在基板中的光电转换层；以及在基板的第一侧上的布线结构。布线结构可以包括：第一电容器；与第一电容器间隔开的第二电容器；沿着单位像素的边缘布置的多个边缘通路；以及插设在第一电容器和第二电容器之间的多个中心通路。

公开(公告)号：CN111106174A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201911004608.0

申请日：2019-10-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林杠默 ,  金相秀 ,  朴雨锡 ,  许盛祺

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体器件，包括：基板；有源区，设置在基板上并沿第一方向延伸；与有源区相邻的器件隔离层；设置在有源区中的栅极结构，该栅极结构沿与第一方向交叉的第二方向延伸并覆盖器件隔离层的一部分；栅极分离图案，接触栅极结构的端部；以及杂质区，设置在栅极分离图案下方并在器件隔离层上。

公开(公告)号：CN112310221A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010681259.2

申请日：2020-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林杠默 ,  金相秀 ,  朴雨锡 ,  朱大权

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种包括位于衬底上的有源区的半导体器件。多个沟道层在所述有源区上间隔开。设置栅极结构。所述栅极结构与所述有源区和所述多个沟道层相交。所述栅极结构围绕所述多个沟道层。源极/漏极区在所述栅极结构的至少一侧设置在所述有源区上。所述源极/漏极区与所述多个沟道层接触。下绝缘层在所述源极/漏极区上设置在所述栅极结构的侧表面之间。接触插塞穿过所述下绝缘层。所述接触插塞接触所述源极/漏极区。隔离结构在所述衬底上与所述有源区相交，并且设置在彼此相邻的所述源极/漏极区之间。每个所述栅极结构包括包含彼此不同的材料的栅电极和栅极覆盖层。

公开(公告)号：CN111106174B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN201911004608.0

申请日：2019-10-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林杠默 ,  金相秀 ,  朴雨锡 ,  许盛祺

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体器件，包括：基板；有源区，设置在基板上并沿第一方向延伸；与有源区相邻的器件隔离层；设置在有源区中的栅极结构，该栅极结构沿与第一方向交叉的第二方向延伸并覆盖器件隔离层的一部分；栅极分离图案，接触栅极结构的端部；以及杂质区，设置在栅极分离图案下方并在器件隔离层上。

公开(公告)号：CN115706126A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210960703.3

申请日：2022-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林杠默 ,  金昇埴 ,  全在勋 ,  郑堤衍

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器，包括：衬底，包括第一区和第二区；多个单元像素，设置在衬底中，其中所述多个单元像素中的每一个包括光电转换层；像素限定图案，将单元像素彼此分开；表面绝缘膜，设置在衬底上；线结构，设置在衬底上，并且包括第一线间绝缘膜和设置在第一线间绝缘膜中的布线图案；微透镜，设置在第一区中；以及遮光膜，设置在第二区中。遮光膜包括：沿表面绝缘膜的顶表面延伸的水平遮光膜；以及延伸穿过表面绝缘膜和衬底的垂直遮光膜。垂直遮光膜电连接到布线图案。遮光膜电连接到像素限定图案。

公开(公告)号：CN115548039A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202210473126.5

申请日：2022-04-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全在勋 ,  林杠默 ,  郑堤衍 ,  郑秪惠

IPC: H01L27/146

Abstract: 图像传感器可以包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，并且包括多个像素；第一像素隔离结构，所述第一像素隔离结构包括从所述半导体衬底的所述第一表面凹入到所述半导体衬底中的第一沟槽和位于所述第一沟槽中的导电层；以及第二像素隔离结构，所述第二像素隔离结构包括第二沟槽和第三沟槽以及位于所述第二沟槽和所述第三沟槽中的电介质层，所述第二沟槽和所述第三沟槽各自从所述半导体衬底的所述第二表面凹入到所述半导体衬底中。所述第一像素隔离结构和所述第二像素隔离结构可以彼此接触并且在所述半导体衬底中将所述像素彼此分开。