公开(公告)号：CN110718550B

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN201810763279.7

申请日：2018-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金恩靚 ,  金奉秀 ,  金容宽 ,  韩成熙 ,  黄有商

IPC: H10B12/00 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明构思涉及一种半导体器件及制造其的方法。一种半导体器件，其包括：限定在半导体衬底中的有源区域；在半导体衬底上的第一接触插塞，第一接触插塞连接到有源区域；在半导体衬底上的位线，位线与第一接触插塞相邻；在第一接触插塞与位线之间的第一气隙间隔物；在第一接触插塞上的着落垫；在位线上的阻挡绝缘层；以及在第一气隙间隔物上的气隙盖层，气隙盖层垂直地重叠第一气隙间隔物，气隙盖层在阻挡绝缘层与着落垫之间，阻挡绝缘层的上表面在与着落垫的上表面相等或比其高的高度处。

公开(公告)号：CN110718550A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201810763279.7

申请日：2018-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金恩靚 ,  金奉秀 ,  金容宽 ,  韩成熙 ,  黄有商

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明构思涉及一种半导体器件及制造其的方法。一种半导体器件，其包括：限定在半导体衬底中的有源区域；在半导体衬底上的第一接触插塞，第一接触插塞连接到有源区域；在半导体衬底上的位线，位线与第一接触插塞相邻；在第一接触插塞与位线之间的第一气隙间隔物；在第一接触插塞上的着落垫；在位线上的阻挡绝缘层；以及在第一气隙间隔物上的气隙盖层，气隙盖层垂直地重叠第一气隙间隔物，气隙盖层在阻挡绝缘层与着落垫之间，阻挡绝缘层的上表面在与着落垫的上表面相等或比其高的高度处。