公开(公告)号：CN101026288A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200610163781.1

申请日：2006-12-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡程惠 ,  沈钟寅 ,  河镜虎 ,  金奎相 ,  柳汉烈

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/34333

Abstract: 提供一种半导体激光二极管，其包括衬底和依次形成于衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层和电极。在半导体激光二极管中，第二半导体层具有脊，以及电极形成于第二半导体层的脊上，电极的宽度小于脊的宽度。

公开(公告)号：CN102468415B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201110220323.8

申请日：2011-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金奎相

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/501 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/505 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：发光结构，包括第一导电半导体层、活性层和第二导电半导体层；波长转换层，形成在发光结构的发光表面的至少一部分上，由包括磷光体颗粒或量子点的光透射材料制成，并在其中具有空腔。