公开(公告)号：CN101165979A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710096171.9

申请日：2007-04-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙重坤 ,  柳汉烈 ,  司空坦 ,  白好善 ,  李成男

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/20 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/02 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/321 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/3406 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供一种半导体光电器件，包括：有源层，包括量子阱和势垒层；上和下波导层，分别形成在所述有源层之上和之下；上和下包层，分别形成在所述上和下波导层之上和之下；衬底，支承所得堆叠结构；上光学约束层OCL，设置在所述有源层与所述上和下波导层之间且具有小于所述上波导层的能隙且等于或大于所述势垒层的能隙的能隙；以及下OCL，具有小于所述下波导层的能隙且等于或小于所述势垒层的能隙的能隙。

公开(公告)号：CN101026288A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200610163781.1

申请日：2006-12-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡程惠 ,  沈钟寅 ,  河镜虎 ,  金奎相 ,  柳汉烈

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/34333

Abstract: 提供一种半导体激光二极管，其包括衬底和依次形成于衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层和电极。在半导体激光二极管中，第二半导体层具有脊，以及电极形成于第二半导体层的脊上，电极的宽度小于脊的宽度。

公开(公告)号：CN101441897A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200810213355.3

申请日：2008-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐成东 ,  河镜虎 ,  金圣九 ,  赵秀行 ,  闵垘基 ,  柳汉烈

IPC: G11C29/56 ,  H04B10/145 ,  H04B10/148 ,  H04B10/12

CPC classification number: G11C29/56 ,  G01R31/2889 ,  G01R31/31905 ,  G11C2029/5602

Abstract: 本示例实施例提供了具有光发送单元的探针卡和具有探针卡的存储器测试器。探针卡可包括连接到存储器中形成的测试端子的多个针、连接到针的多个第一端子、连接到外部并相应于第一端子的多个第二端子，和光发送单元。光发送单元可连接第一端子和第二端子。

公开(公告)号：CN1960092A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200610143326.5

申请日：2006-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河镜虎 ,  柳汉烈

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/343 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/20 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/3214 ,  H01S5/3216

Abstract: 本发明提供了一种半导体激光器装置及其制备方法。所述半导体激光器装置包括衬底以及顺序形成在所述衬底上的n－材料层、n－覆层、n－光波导层、有源区域、氮化物半导体层、金属层和金属基覆层。所述金属层和金属覆层呈脊状且在所述金属层和金属基覆层的侧壁和所述氮化物半导体层的暴露表面上形成电流阻挡层。在脊状金属层和电流阻挡层上形成p－电极层。所述半导体激光器装置利用金属基覆层取代AlxInyGa1－yN基p－覆层，由此防止了有源区域的劣化。所述半导体激光器装置还包括在所述金属基覆层和氮化物半导体层和p－GaN材料之间的薄金属层，由此减小其间的接触电阻。由此，能够制造具有可见光波长的高功率、低电压的半导体激光器装置。