公开(公告)号：CN119905122A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202410680302.1

申请日：2024-05-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昊锡 ,  姜奎彰 ,  郑強燮 ,  金多荣 ,  朴荣奭

IPC: G11C5/02 ,  G11C7/12 ,  G11C7/18 ,  G11C8/08 ,  G11C8/14

Abstract: 一种半导体存储器装置可以包括：第一芯片，其包括彼此相邻并且包括存储器单元的第一阵列矩阵和第二阵列矩阵；以及第二芯片，其位于第一芯片下方，并且包括被配置为驱动存储器单元的读出放大器，其中，第一单元位线位于第一阵列矩阵中，并且第二单元位线位于第二阵列矩阵中，其中，第一位线和第一互补位线位于第一阵列矩阵下方，并且第二位线和第二互补位线位于第二阵列矩阵下方，并且其中，第一位线和第二位线分别连接到第一单元位线和第二单元位线，第一互补位线和第二互补位线分别连接到第二单元位线和第一单元位线。

公开(公告)号：CN118571282A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410193915.2

申请日：2024-02-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金多荣 ,  徐宁焄

IPC: G11C11/4074 ,  G11C11/408 ,  G11C11/4094

Abstract: 提供了存储器装置及其驱动方法。根据实施例的存储器装置可包括：第一单元，其包括第一晶体管和连接至第一晶体管并且存储对应于数据的电压的电容器；第二单元，其包括第二晶体管；电压生成电路，其将电压施加至第二晶体管的源极、栅极和漏极，并且施加至第一晶体管的栅极和背栅；测量电路，其连接至第二单元，测量从第二单元输出的电流和电压中的至少一个，并且基于测量的电流和电压的至少一个值产生泄漏值；以及监视电路，其连接至测量电路，基于泄漏值计算第二晶体管的阈电压，并且基于阈电压生成作为用于控制电压生成电路的控制信号。