公开(公告)号：CN116203789A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202211512515.0

申请日：2022-11-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基盛 ,  禹东坤 ,  李熙俊 ,  金东澔

IPC: G03F1/36

Abstract: 提供了一种全芯片单元临界尺寸(CD)校正方法以及通过使用该方法制造掩模的方法。全芯片单元CD校正方法包括：接收关于全曝光的数据库(DB)；分析DB的层次；通过使用DB生成全芯片的密度图，并将该密度图转换为重定向规则表，该转换包括通过使用密度规则映射密度图；将全芯片的单元块重新配置为用于光学邻近校正(OPC)的OPC目标单元布局；基于重定向规则表将第一偏置应用于OPC目标单元布局；以及通过执行分层OPC生成用于全芯片的经光学邻近校正的(经OPC的)布局。

公开(公告)号：CN115938918A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211161382.7

申请日：2022-09-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基盛 ,  朴商五

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3213

Abstract: 一种形成半导体器件的图案的方法，包括：制备包括单元区和外部区的半导体衬底；在半导体衬底上施加光刻胶；将从极紫外(EUV)掩模反射的EUV光照射到光刻胶上；在单元区和外部区中形成光刻胶图案；以及使用光刻胶图案作为蚀刻掩模来蚀刻半导体衬底。EUV掩模包括：EUV掩模的在第一区域中的多个主图案，第一区域与单元区相对应；以及EUV掩模的在第二区域中的第一通道和第二通道，第二区域与外部区相对应，其中，第一通道和第二通道围绕多个主图案，其中，第一通道具有线和空间图案，并且第二通道具有突出图案。

公开(公告)号：CN113219785A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202011096140.5

申请日：2020-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基盛

IPC: G03F1/36 ,  G03F1/84 ,  G03F7/20

Abstract: 一种验证光学邻近效应校正的方法，包括：生成包括目标图案的设计图案布局、通过执行光学邻近效应校正从设计图案布局生成校正图案布局、使用校正图案布局生成包括图像图案的轮廓图像、从轮廓图像的图像图案中检测缺陷图案、以及使用缺陷图案的数据校正来校正图案布局。检测缺陷图案包括获取目标图案的重心的位置数据、获取图像图案的重心的位置数据、以及通过将缺陷图案检测基准与目标图案的重心和图像图案的重心之间的距离进行比较来确定图像图案是否为缺陷图案。