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发明公开
全芯片单元临界尺寸校正方法及使用其制造掩模的方法审中-实审

公开(公告)号：CN116203789A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202211512515.0

申请日：2022-11-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基盛 , 禹东坤 , 李熙俊 , 金东澔

IPC: G03F1/36

Abstract: 提供了一种全芯片单元临界尺寸(CD)校正方法以及通过使用该方法制造掩模的方法。全芯片单元CD校正方法包括：接收关于全曝光的数据库(DB)；分析DB的层次；通过使用DB生成全芯片的密度图，并将该密度图转换为重定向规则表，该转换包括通过使用密度规则映射密度图；将全芯片的单元块重新配置为用于光学邻近校正(OPC)的OPC目标单元布局；基于重定向规则表将第一偏置应用于OPC目标单元布局；以及通过执行分层OPC生成用于全芯片的经光学邻近校正的(经OPC的)布局。

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