公开(公告)号：CN1244018A

公开(公告)日：2000-02-09

申请号：CN99105435.0

申请日：1999-04-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金修彻 ,  朴熙哲

IPC: G11C11/40

CPC classification number: G11C7/1051 ,  G11C7/1072 ,  G11C7/22

Abstract: 带有流水线多位预取结构的同步猝发半导体存储器件包括分别用于读和写猝发模式的分离的内部地址发生器。同步存储器件还采用:用以减少核心周期时间的自动跟踪位线设计,用于减少电流的缩短主数据线,通过双轨复位动态电路而具有高速传送特性的噪声免除电路,和与输出数据同步以保证处理器数据有效性校验时间的选通时钟。

公开(公告)号：CN1285111C

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN03131477.5

申请日：2003-05-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙权一 ,  赵郁来 ,  金修彻

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L23/50 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L22/32 ,  H01L22/34 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种集成电路芯片，其包括一内部电路，该内部电路具有为提供集成电路功能性而配置的互联的半导体器件，以及为允许测量该半导体器件的电学特性而配置的测试元件成组(TEG)电路。通过在内部电路所在的同一集成电路芯片中设置TEG电路，该TEG电路可以精确地表现与该集成电路芯片相关联的内部电路的互联半导体器件的电学特性。该集成电路芯片可与一测试器连接。该测试器包括设置为同时与该内部电路和该TEG电路相接触的测试探针。该测试器还可同时测试内部电路的集成电路功能性和通过TEG电路测量该半导体器件的电学特性。

公开(公告)号：CN1326150C

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN99105435.0

申请日：1999-04-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金修彻 ,  朴熙哲

IPC: G11C11/40

CPC classification number: G11C7/1051 ,  G11C7/1072 ,  G11C7/22

Abstract: 带有流水线多位预取结构的同步猝发半导体存储器件包括分别用于读和写猝发模式的分离的内部地址发生器。同步存储器件还采用：用以减少核心周期时间的自动跟踪位线设计，用于减少电流的缩短主数据线，通过双轨复位动态电路而具有高速传送特性的噪声免除电路，和与输出数据同步以保证处理器数据有效性校验时间的选通时钟。

公开(公告)号：CN1458678A

公开(公告)日：2003-11-26

申请号：CN03131477.5

申请日：2003-05-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙权一 ,  赵郁来 ,  金修彻

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L23/50 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L22/32 ,  H01L22/34 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种集成电路芯片，其包括一内部电路，该内部电路具有为提供集成电路功能性而配置的互联的半导体器件，以及为允许测量该半导体器件的电学特性而配置的测试元件成组(TEG)电路。通过在内部电路所在的同一集成电路芯片中设置TEG电路，该TEG电路可以精确地表现与该集成电路芯片相关联的内部电路的互联半导体器件的电学特性。该集成电路芯片可与一测试器连接。该测试器包括设置为同时与该内部电路和该TEG电路相接触的测试探针。该测试器还可同时测试内部电路的集成电路功能性和通过TEG电路测量该半导体器件的电学特性。